東北大学は、AIによる大規模データ解析により、CO2からCOへの電気化学的変換を触媒する最適な顔料色素を選定した。同色素を使用した多層構造の炭素系材料は、従来の金属錯体触媒を上回る性能を示した。
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屋外で使用される材料の耐候性評価には、これまで多くの時間がかかっていた。そこで島津製作所は複合劣化促進ユニット「CDAS-1000」を開発した。既存の分析装置と組み合わせることで、短期間で劣化の初期兆候を可視化し、材料の寿命や耐久性、耐候性の評価に役立つ。
遠藤和宏()
リガクとMI-6は、材料開発領域でのデータ利活用に関する協業可能性を検討する基本合意書（MOU）を締結した。分析装置とデータ解析基盤をシームレスに連携させて、新材料創出にかかる期間の大幅な短縮を目指す。
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西川計測は純国産の電子実験ノート「NEXS」を「JASIS 2025」で展示した。自由な入力方法や多様な機器との連携、日本語対応といったNEXSの強みの他、最新のバージョンアップで追加された機能について紹介する。
遠藤和宏()
東北大学は、植物由来の生分解性キレート剤と地下のかんらん岩を利用したCO2削減技術を開発した。キレート剤の生分解による金属イオンの放出に伴って、CO2が鉱物に固定する。
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分析前のトラブルを防ぎ、ルーティン分析の信頼性を高める新機能が登場。島津製作所は「JASIS2025」で、業界初となる流路の自動診断機能を搭載した一体型高速液体クロマトグラフ「LC-2070」と「LC-2080」を公開した。
遠藤和宏()
全固体電池の課題には、充放電を繰り返しても劣化しない安定した電池性能の確保がある。この難題を解決するため、電極活物質の表面にコーティングを施す技術が注目されている。しかし、その数nmの極薄膜を正確に評価することは困難とされてきた。JFEテクノリサーチがこの「壁」を打ち破る新技術を確立した。
遠藤和宏()
デンソーウェーブの「COBOTTA LAB Modules」は、卓上サイズの協働ロボット「COBOTTA」と多彩な機能モジュールを組み合わせることで、手作業に頼っていたラボ作業を自在に自動化する。粉体秤量（ひょうりょう）や混合、ろ過など、用途に合わせてシステムを自由に組み替えられるこの新システムは、どのようにして研究者の生産性を飛躍的に向上させるのか。
遠藤和宏()
東京理科大学は、物質の性質を原子レベルで自在に制御可能にする新手法を考案し、ガリウム（Ga）系近似結晶で史上最高値の磁気熱量効果を観測した。磁気冷凍技術への展開が期待される。
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MONOistの記事からクイズを出題！ モノづくり業界の知識を楽しく増やしていきましょう。今回はiPEACE223が2025年8月27日に開催した「川崎ベンチプラント」の見学会から、同ベンチプラントの性能について出題します。
遠藤和宏()
レゾナックが国内外の27社と連携し、新たな共創プラットフォーム「JOINT3」を設立した。このプラットフォームは、パネルレベル有機インターポーザーという次世代技術の開発を加速させ、半導体産業の未来をどのように変えるのか。
遠藤和宏()
商用核融合炉の稼働を目指す米国の民間核融合エネルギー企業のCommonwealth Fusion Systems（CFS）が、東京都内で記者会見を開催。Googleに電力を供給する核融合炉や、複数の日本企業が参画したコンソーシアムとの連携について紹介した。
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日立ハイテクのMIを活用した「材料開発ソリューション」により、NOFメタルコーティングスが製品の研究、開発業務の効率化と高度化を達成した。特定の研究テーマで、MI活用前と比べて実験回数や期間を50％以上削減できた。
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JX金属が独自開発し、主力製品の製造に活用してきた高性能な粉体シミュレーションソフトウェア「UX-DEM」が社外提供される。
遠藤和宏()
名古屋大学は、ハロゲンフリーのプラズマプロセスで、酸化ハフニウムの異方性原子層エッチングに成功した。難エッチング材料の酸化ハフニウムを原子レベルで微細に加工、制御可能になる。
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Accelerated Komputingは、国際共同研究を通じて開発したAIマルチエージェントシステムによる自律的パラメトリックCADモデル生成フレームワーク「MEDA」の論文を発表した。自然言語から3D CADモデルを生成／修正まで完結させる仕組みで、設計自動化の新たな可能性を提案する。
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北海道大学は、機械学習によってバンドギャップ（光吸収の指標）を精密に予測／設計できるペロブスカイト無機材料の開発手法を確立した。
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東北大学は、融点が高いタングステンのるつぼを用いて、これまで困難だった2200℃以上の高温で、高機能な酸化物単結晶を作成する技術を開発した。高融点の酸化物単結晶の新物質探索や量産製造への貢献が期待される。
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北海道大学は、危険な水素ガスや複雑な圧力制御を用いずに、電界効果移動度約90 cm2/V・sの高性能薄膜トランジスタの作製に成功した。次世代ディスプレイ用薄膜トランジスタの開発を加速する。
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