「ゲートドライバ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

統合直後からシナジー全開！：
PR：アナデジ融合にチップレット活用――「ローム×ラピス」だからこそ生まれたユニークなマイコン
2024年4月に子会社のラピステクノロジーを吸収合併したロームは、両社の強みを併せ持つ製品の開発と展開を加速させている。ロームが「シナジーが最も大きいカテゴリーの一つ」として挙げるのがマイコンだ。アナログ制御とデジタル制御の“いいとこ取り”をした「アナログ・デジタル融合制御」電源用のマイコン、チップレットを活用したマイコン、IC上で機械学習と推論を実行できるマイコンなど、市場投入を控えたユニークな新製品がそろう。（2024/7/1）

ソフトウェアモジュールも提供：
AEC-Q100準拠の車載充電モジュール向けソリューション
マイクロチップ・テクノロジーは、車載充電モジュール向けのソリューションを発表した。デジタルシグナルコントローラー「dsPIC33C」、絶縁型SiC（炭化ケイ素）ゲートドライバ「MCP14C1」、D2PAK-7L XLパッケージを採用した「mSiC MOSFET」が含まれる。（2024/6/24）

電流をプログラム設定可能：
保護機能や診断機能を備えた車載用DCモーター向けゲートドライバーIC
STマイクロエレクトロニクスは、車載用DCモーター向けゲートドライバーIC「L99H92」を発表した。プログラミングや診断用のSPIポート、チャージポンプ回路、各種保護機能、2つの電流センスアンプを備える。（2024/5/16）

「小さくても大電力が欲しい」に応える：
PR：絶縁バイアス電源を9割小型化！　高い電力密度を実現する最新パワーマネジメント製品
太陽光発電システムやデータセンター、EV（電気自動車）など、さまざまなアプリケーションの電源ユニットにおいてより高い電力密度の要求が高まっている。Texas Instruments（TI）が発表した100V GaN統合型パワーステージとトランス内蔵の1.5W絶縁型DC/DCモジュールは、このニーズに応える製品だ。100V GaN統合型パワーステージはシリコンを採用する場合に対してボードサイズを40％削減できる。トランス内蔵の1.5W絶縁型DC/DCモジュールでは外付けの大型トランスが不要なのでソリューションサイズを最大で約80％削減可能だ。（2024/4/8）

組み込み開発ニュース：
日本TIが電力変換デバイスの新製品、GaNパワーステージと絶縁型DC-DCモジュール
日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は、電力変換デバイスの新製品である100VGaN（窒化ガリウム）パワーステージと1.5W絶縁型DC-DCモジュールについて説明した。（2024/3/11）

ネプコンジャパン2024：
インフィニオンはSiCとGaNで車載充電器を高効率化、オムロンの充電スタンドにも
インフィニオン テクノロジーズは、「ネプコンジャパン2024」の「第1回パワーデバイス＆モジュールEXPO」において、SiCやGaNなどの次世代パワー半導体を用いたEV向け車載充電器を展示した。（2024/2/8）

オートモーティブワールド2024：
SiCデバイスを垂直統合で手掛けるSTマイクロ、GaNデバイスの準備も着々
STマイクロエレクトロニクスは、「オートモーティブワールド2024」において、SiCデバイスの原材料からウエハー、モジュール、冷却系までを含めたシステムに至るまで垂直統合で手掛ける同社のソリューションを一堂に披露した。（2024/1/31）

シャント抵抗不要で高効率化と小型化を両立：
PR：「重くて大きい」電源アダプターのサイズが半分に　電流検知機能を統合した新しいGaN FETで実現
ノートPCなどの電源アダプターは「大きくて重いもの」。そんな“常識”が変わるかもしれない。Texas Instruments（TI）が発表した新しいGaN FETは、電流センシング機能を統合したことでAC/DC電力変換システムの高効率化と小型化を両立させられる製品だ。標準的な67W電源アダプターであれば、Si FETを用いた従来品よりも50％小型化できる。電源アダプターやUSB電源の大幅な小型化に大いに貢献するはずだ。（2024/1/11）

組み込み開発ニュース：
PCやスマホのACアダプターのサイズを半減、TIがGaNデバイスの新製品を発売
日本TIが、ゲートドライバとともに電流センシングの機能を内蔵するGaN FETの新製品「LMG3622」「LMG3624」「LMG3626」を発表。主にPCやスマートフォン、タブレット端末のACアダプター向けに展開する。（2023/12/8）

組み込み開発ニュース：
TIがEV向けに高電圧半導体製品を展開、次世代パワー半導体はGaNデバイスに注力
日本TIは、EVをはじめ車載向けに展開している高電圧半導体製品の事業展開について説明した。（2023/11/2）

波長の温度依存性は66％減少：
ローム、LiDAR用高出力レーザーダイオードを開発
ロームは、LiDAR用120W高出力レーザーダイオード「RLD90QZW8」を開発、サンプル出荷を始めた。レーザー波長の温度依存性を一般品に比べ66％も減少させたことで、長距離測定が可能となる。（2023/10/3）

電力密度を向上させシステムコスト低減に貢献する：
PR：チップもパッケージもすごい！　インフィニオンの「新世代・車載用SiCパワーMOSFET」
インフィニオン テクノロジーズは2023年6月、車載向けSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETの新世代製品「1200V CoolSiC MOSFET」を発売した。オンボードチャージャーやDC-DCコンバーター、インバーターなど各種車載電力変換システムの最新ニーズに応える次世代型のSiC-MOSFETとして開発された1200V CoolSiC MOSFETの特徴を詳しく紹介する。（2023/8/22）

組み込み開発ニュース：
EVの年間走行距離を1600km伸ばす、TIがリアルタイム可変ゲートドライバで実現
日本TIは、EVの走行モーター用インバーターへの搭載が進みつつあるSiC-MOSFETやIGBTを高効率に駆動する絶縁型ゲートドライバIC「UCC5880-Q1」を発表した。（2023/5/17）

パワー半導体を中心に積極投資を実施：
PR：需要が拡大する業務用空調システムのキーデバイスを網羅するインフィニオン
エネルギー価格の上昇と環境保護意識の高まりを受け、業務用空調システムの需要が拡大している。パワー半導体など業務用空調システムのキーデバイスの供給不足が懸念される中で、インフィニオン テクノロジーズは業務用空調システム用デバイスの開発、増産投資を強化している。（2023/2/15）

6ED2742S01Q：
3相ゲートドライバIC、インフィニオン
インフィニオン テクノロジーズは、電源管理ユニットや電流検出アンプ、過電流保護機能を統合した3相ゲートドライバーIC「6ED2742S01Q」を発表した。バッテリー駆動の産業用ブラシレスDCモーター制御ドライブに適する。（2023/2/10）

車載半導体：
日立AstemoがEV用インバーターにローム製SiC-MOSFETを採用、2025年に供給開始
ロームは、同社の第4世代SiC-MOSFETとゲートドライバICが、日立AstemoのEV（電気自動車）用インバーターに採用されたと発表。このインバーターは、国内自動車メーカーを皮切りに2025年から国内外向けに順次供給される予定である。（2022/12/14）

STマイクロ L3751：
最大75V入力の同期整流式降圧レギュレーター
STマイクロエレクトロニクスは、3.5×4.5mmと小型の同期整流式降圧レギュレーター「L3751」を発表した。産業機器やバッテリー駆動の軽電気自動車、24Vまたは48Vバスの通信機器やネットワーク機器に適する。（2022/11/1）

今こそフォトカプラーからの置き換えを：
PR：「絶縁寿命への懸念」はもう不要、デジタルアイソレータで産業機器の絶縁性能を高める
産業機器や医療機器において、安全性を実現するための絶縁技術は欠かせない。使用年数が数十年に及ぶことも多いこれらの機器では、絶縁性能も、同様に長い期間維持することが求められる。そうした中、寿命（経年劣化）が存在するフォトカプラーに代わる絶縁素子として注目されているのがデジタルアイソレータだ。Texas Instruments（TI）は、20年以上にわたる研究開発と自社製造の強みを生かし、最新のデジタルアイソレータをはじめとする幅広い絶縁ソリューションを手掛けている。（2022/10/27）

リチャードソン・アールエフピーディー・ジャパン株式会社提供Webキャスト：
PR：SiC-MOSFET ゲート駆動設計のポイント　〜SiCの性能を最大限引き出すために
本ウェビナーでは、SiC-MOSFETの性能を最大限引き出すために押さえておきたいゲート駆動回路設計でのポイントを紹介していく。（2022/10/11）

Design Ideas パワー関連と電源：
シリコン／WBGパワーデバイスに有効な汎用絶縁型ゲートドライバ
MOSFET、IGBTならびにSiC（炭化ケイ素）トランジスタは高電力／高電圧アプリケーションでよく使用されるが、これらのゲートははるかに低い電圧で駆動されている。ゲート入力電圧の範囲が異なることに加え、これらデバイスの高電圧および低電圧回路におけるパスの全てが、製品とそのユーザーの両方を危険にさらし得る迷走電流を防止するためグランドから絶縁されていなければならない。本設計で提案している汎用絶縁型ゲートドライバ（UVIGD）は、これらの要件を満たすために作成したものだ。（2022/8/23）

EVや産業機器の高電圧化に応える：
PR：システムの信頼性向上には「絶縁」の見直しが近道、最新のソリッドステート・リレーなら小型化もかなう
システムの安全性と堅ろう性を実現するために欠かせない絶縁技術。絶縁性を確保する部品として、従来のメカニカルリレーに代わって台頭し始めているのが、可動接点部分のないソリッドステート・リレー（SSR）だ。20年にわたり絶縁技術に投資してきたTexas Instruments（TI）が電気自動車（EV）と産業機器向けに発表した新しいSSRは、従来のリレーから置き換えることで、システムの信頼性を向上しつつ、ソリューションサイズを最大90％削減することも可能になる。（2022/7/28）

インフィニオン CIPOS Tiny IM323-L6G：
IGBTとゲートドライバー内蔵、室内エアコン用IPM
インフィニオン テクノロジーズは、最新IPM「CIPOS Tiny IM323-L6G」を発表した。1.2kWまでの3相インバーターに適しており、ルームエアコンなどの家電製品、産業用モータードライブ、住宅用暖房換気空調設備システムでの利用を見込む。（2022/5/25）

インフィニオン MA5332MS：
クラスDオーディオアンプ用マルチチップモジュール
インフィニオン テクノロジーズは、アナログ2チャンネル入力のクラスDオーディオアンプ用マルチチップモジュール「MA5332MS」を発表した。4Ω時にヒートシンクなしで2×100Wを、あるいは8℃/Wのヒートシンクを用いて2×200Wを供給できる。（2022/3/22）

東芝 TCK42xGシリーズ：
過電圧防止機能搭載のMOSFETゲートドライバIC
東芝デバイス＆ストレージは、外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応したMOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズ第1弾として、20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を開始した。（2022/2/28）

STマイクロ 第3世代SiCパワーMOSFET：
次世代EVや産業向け第3世代SiCパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載用および産業用途に適する。（2022/1/21）

求められるEPSやブレーキの“冗長化”：
PR：電動化／自動運転時代のシャシー技術トレンド ―― サイズ／コスト課題を解決する半導体が続々登場へ
ステアリングやブレーキ、サスペンションといった自動車の走行の足回りを担うシャシー領域もさまざまな変化を遂げようとしている。シャシー領域に変化をもたらす3つの技術トレンドを紹介するとともに、シャシーの進化を支えていく新たな半導体デバイスをいくつか紹介していこう。（2021/11/10）

分散型電源アーキテクチャの構成が容易に：
PR：EV用インバーターの小型化を一気に加速、トランス内蔵のDC/DCバイアス電源モジュール
電気自動車（EV）の電源アーキテクチャでは、小型化や信頼性向上のために、各ゲートドライバに個別のバイアス電源を割り当てる分散型電源アーキテクチャへの関心が高まっている。Texas Instruments（TI）の絶縁型DC/DCバイアス電源モジュール「UCC14240-Q1」は、トランスと閉ループ制御を統合することで小型化を実現し、分散型電源アーキテクチャに活用しやすくなっている。（2021/10/26）

日本TI MCF8316A、MCT8316A：
センサーレス70WブラシレスDCモータードライバ
日本テキサス・インスツルメンツは、コーディング不要のセンサーレス70WブラシレスDCモータードライバ「MCF8316A」「MCT8316A」を発表した。高速応答と静音性能を必要とする家電や医療デバイスに適する。（2021/9/24）

最大140W（28V／5A）の受給電に対応：
インフィニオン「業界初」USB PD 3.1対応マイコンを発表
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2021年8月31日、最大28Vの高電圧で140Wの電力を受給電できるUSB Power Delivery（USB PD）3.1に対応するマイコン「EZ-PD PMG1ファミリー」を発表した。同製品は2021年9月1日に開幕したオンライン展示会「ITmedia Virtual EXPO 2021 秋」の同社ブースで公開されている。（2021/9/1）

建物の全配電網にインテリジェンス統合を：
Infineon、電気制御のデジタル化に向けAmberと協業
Infineon Technologies（以下、Infineon）とAmber Solutions（以下、Amber）が協業を発表した。Amberが開発した半導体アーキテクチャによって電気のデジタル制御を実現する技術を、共同で製品化していく考えだ。（2021/7/15）

インフィニオン 6EDL7141：
モーター制御用3相ゲートドライバIC
インフィニオン テクノロジーズは、モーター制御用3相ゲートドライバICの「EiceDRIVER 6EDL7141」を発表した。フルプログラム可能で、バッテリー駆動の工具、ドローン、電動バイク、ロボットなどに適する。（2021/6/28）

オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2：
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。（2021/6/18）

STマイクロ STGAP2SiCS：
駆動電流4Aの絶縁型ゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、絶縁型ゲートドライバ「STGAP」ファミリーに、駆動電流4Aの「STGAP2SiCS」を追加した。6kVのガルバニック絶縁を内蔵し、最大1200Vの高電圧レールで動作する。（2021/4/5）

STマイクロ STDRIVE101：
低電圧アプリケーション向けゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、3相ブラシレスDCモーターの駆動に適した低電圧ゲートドライバIC「STDRIVE101」を発表した。電動工具、ポンプ、ファン、軽機械、ゲーム機器など、75Vまでの低電圧機器に適する。（2021/1/18）

インフィニオン EiceDRIVER 2EDL8ファミリー：
5G基地局用ゲートドライバIC
インフィニオン テクノロジーズは、5GおよびLTEマクロ基地局用の新たなゲートドライバICファミリー「EiceDRIVER 2EDL8」を発表した。120Vブートストラップダイオードを内蔵し、チャンネル間伝搬遅延マッチングは標準値±2ナノ秒となる。（2021/1/5）

ソシオネクスト SC1702、SC1701：
車載向けスマートディスプレイコントローラー
ソシオネクストは、車載向けディスプレイコントローラーの製品群に、高解像度ワイドディスプレイに対応した「SC1702」と、メーターディスプレイへの安全機能実装に対応した「SC1701」シリーズの新製品を追加した。（2020/12/23）

価格はシリコンと同水準、UnitedSiC：
「業界最高の性能指数を実現」する750V耐圧SiC FET
米国UnitedSiCは2020年12月1日（現地時間）、同社の「第4世代SiC FET」として、750V耐圧の新製品を発表した。同社は、単位面積当たりのオン抵抗やスイッチング性能など、「業界最高の性能指数」を実現したと説明している。またコスト面でも、「スーパージャンクション（SJ）構造のシリコンMOSFETのプレミアム品とほぼ同水準の価格だ」という。（2020/12/4）

最終製品の大幅な小型、軽量化を実現：
ハーフブリッジドライバとGaN-HEMTを集積したSiP
STマイクロエレクトロニクスは、ハーフブリッジゲートドライバと2つのGaN-HEMT（窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ）を集積したSiP（System in Package）製品プラットフォーム「MasterGaN」を開発した。（2020/11/6）

インフィニオン HybridPACK DC6i：
トラクションインバーター向けパワーモジュール
インフィニオン テクノロジーズは、中出力電気自動車用トラクションインバーター向けのIGBTパワーモジュール「HybridPACK DC6i」を発表した。最新の車載向けIGBT「EDT2」を搭載している。（2020/8/25）

サンケン電気 MD6752：
2コンバーター構成電源を1パックで制御するIC
サンケン電気は、2コンバーター構成電源を1パッケージで制御可能なデジタル制御電源IC「MD6752」を開発した。コンバーター回路の簡素化により、電源基板サイズを10％小型化できる。（2020/6/3）

次世代パワー半導体：
GaNで高効率な電源設計を、駆動方法がポイントに
あらゆるパワーエレクトロニクスアプリケーションにおける主要評価基準の一つが電力密度です。これは、効率やスイッチング周波数の向上によって大幅に改善されます。シリコンをベースとした技術は進化の限界に近づいているため、設計エンジニアはソリューションを提供すべくGaN（窒化ガリウム）などのワイドバンドギャップ技術に関心を向け始めています。（2020/4/22）

パワー・インテグレーションズ 1SP0351：
新しいプレスパックIGBTモジュール用ゲートドライバ
パワー・インテグレーションズは、プラグアンドプレイゲートドライバ「1SP0351」を発表した。同社のSCALE-2チップセットをベースにしており、同チップセットの高度な制御技術により、従来と比較して部品点数を85％削減できる。（2020/4/3）

ロームが無償提供を開始：
パワー素子とICを一括検証できるWebシミュレーター
ロームは2020年2月、Webサイト上で電子回路シミュレーションを実施できる無償ツール「ROHM Solution Simulator」の提供を開始した。提供開始時点で、SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスや駆動IC、電源ICなどのローム製半導体製品を使用した44種の回路でシミュレーション検証を実施でき、今後、回路種や対応半導体製品を広げていく。（2020/3/4）

STマイクロ STSPIN32F0251、STSPIN32F0252、TSPIN32F0601、STSPIN32F0602：
250V、600V耐圧のブラシレスDCモータードライバIC
STマイクロエレクトロニクスは、ブラシレスDCモータードライバIC「STSPIN32F0」ファミリーに、250V耐圧の「STSPIN32F0251」「STSPIN32F0252」、600V耐圧の「TSPIN32F0601」「STSPIN32F0602」の4種類を追加した。（2020/2/28）

ゲートドライバとの組み合わせで：
TIのGaNパワー半導体ビジネスの狙いと勝算
Texas Instruments（TI）はパワー半導体市場でどのような戦略を立て、競合に対抗していくのか。同社ハイボルテージ・パワー部門バイスプレジデント兼ジェネラル・マネージャを務めるSteve Lambouses氏にインタビューした。（2019/12/6）

電源システム解説：
48VマイルドHVにガルバニック絶縁が必要な理由
48Vバッテリー電源を使用する自動車では、ガルバニック絶縁を考慮することが非常に重要です。絶縁は、グラウンドノイズに対する耐性に活用されるとともに、12Vシステムが接続する48Vシステムでグラウンドリフトや障害が発生した場合に12Vシステムを保護します。統合型の絶縁CANトランシーバーは、プッシュプルをベースとした絶縁DC/DC電源と組み合わせることで、48Vシステムを絶縁するためのコンパクトで効率が良く、堅牢で低ノイズの技術を提供します。（2019/7/1）

新電元工業がいち早く製品化！：
PR：GaNパワー半導体の弱点を克服する大容量／高速安定動作可能なパワーモジュール登場
より高い電力変換効率が期待できるGaN（窒化ガリウム）などの新材料を用いた次世代パワー半導体は、既に実用化段階にある。しかし、電力変換／制御システムに搭載するには、設計の難易度が高いなど課題を抱える。そうした課題を解決し、実用化を前進させる大容量／高速安定動作可能なGaNパワーモジュールが登場した。（2019/6/18）

STマイクロ STSPIN32F0B：
シングルシャント型BLDCモーターコントローラー
STマイクロエレクトロニクスは、コスト効率の高いシングルシャント電流検知に対応したBLDCモーターコントローラー「STSPIN32F0B」を発表した。開発期間短縮および部材のコスト低減を可能にする。（2019/6/13）

アナログ回路設計講座（22）：
PR：始動するPoE++（IEEE 802.3bt）―― PoE++対応受電装置を実現するために
IEEEの次世代Power over Ethernet（PoE）規格「IEEE 802.3bt／PoE++」がいよいよ始動しました。本稿では、この最新PoE規格と、規格の魅力をさらに引き出すチップセット「LTC4291-1/LTC4292」を解説します。（2019/5/10）

TECHNO-FRONTIER 2019：
STマイクロ、生産設備の予知保全などを可能に
STマイクロエレクトロニクスは、「TECHNO-FRONTIER 2019（テクノフロンティア）」で、産業機器のスマート化／IoT（モノのインターネット）化を加速するためのソリューションを提案した。（2019/4/19）