　スタンレー電気は2026年3月16日、除菌効果が高い波長265nmの深紫外LEDにおいて、発光効率（WPE）を現行比約3倍となる7.5％（158mW、350mA、6V）に向上させたと発表した。同月より順次サンプル提供を開始し、同年10月に量産を開始する。同年度中には、さらなる性能向上によるWPE 10％達成を計画している。

深紫外LEDの性能比較［クリックで拡大］出所：スタンレー電気

　深紫外LEDは、従来のUVランプ方式に代わる水銀フリーの光源として期待されている。特に265nmの波長は、275nmや280nmといった他の波長と比較して微生物の不活化効率が高く、より少ない照射量で高い除菌性能を発揮できる特長を持つ。今回の開発では、AlN（窒化アルミニウム）基板からの光取り出し効率を向上させた独自構造と高反射電極を採用した。

　さらに、AlN基板上での低欠陥結晶成長技術を確立したことで、素子内部の損失低減に成功。これらの技術投入により、製品寿命は従来の1万時間から2万5000時間へと大幅に延長されている。発光効率の劇的な向上は、水除菌用途における処理能力の拡大が期待される。

　同社は今後、WPE 10％の達成を目指すと同時に、高効率化を背景としたユニットの小型化や大流量化を推進する。これにより、ウォーターサーバなどの小型機器から、廃水処理や低透過率の水処理といった産業用途まで、活用領域を拡大させる方針だ。

スタンレー電気の水除菌リアクターの開発方向性（小型化、大流量化、除菌性能向上）［クリックで拡大］出所：スタンレー電気

「割れにくいAlN基板」、薄型化や精密な穴あけ加工に対応
岡本硝子とU-MAPは、「第40回ネプコンジャパン-エレクトロニクス開発・実装展-」で、繊維状窒化アルミニウム（AlN）フィラー「Thermalnite（サーマルナイト）」や、Thermalniteを添加した製品として「高強度AlN基板」を紹介した。
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ヌヴォトンテクノロジーは、波長379nmの紫外半導体レーザーの出力を同社従来品比で倍増となる1.0Wを達成した「高出力 1.0W 紫外（379nm）半導体レーザ」を開発した。主に、先端半導体パッケージ向けマスクレス露光装置の微細化や加工速度向上の用途に向ける。
4インチ窒化アルミニウム単結晶基板のサンプル提供を2024年度下期に開始
旭化成は、子会社のCrystal ISが製造する4インチ窒化アルミニウム単結晶基板について、国内外の半導体デバイスメーカーへのサンプル基板提供を2024年度下期から開始する。
世界初、4インチ窒化アルミニウム単結晶基板の製造に成功
旭化成は、米国ニューヨーク州にある子会社のCrystal ISが4インチ（直径100mm）の窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板の製造に世界で初めて成功したと発表した。
高い圧電性能を持つ窒化アルミニウム系薄膜を開発　下地層を活用
産業技術総合研究所は、物質・材料研究機構との共同研究で、高い圧電性能を持つ窒化アルミニウム系薄膜を開発した。薄膜と同じ結晶構造を持つ下地層を用いることで、薄膜の圧電性能向上に成功した。
銅と窒化アルミニウムセラミックスを接合する新技術を開発
三菱マテリアルは、銀（Ag）を接合材として使用せずに、銅（Cu）と窒化アルミニウム（AlN）セラミックスを接合する新技術を開発した。同時に、AlNセラミックス基板の両面にCuを接合した「AgフリーDBC基板」の試作対応を開始した。