「GaNパワーデバイス市場は急成長へ」――iSuppli社の予測から：

[EDN Japan]

　窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場が急成長しそうだ。米iSuppli社によると、2010年のGaNパワーデバイスの売上高は実質的にはゼロだが、ハイエンドサーバーやノート型パソコン、携帯電話機、有線通信分野での急成長によって、2013年には1億8360万米ドルに達すると予測される。

　GaN材料を使用するパワーデバイス向けの新しいプロセス技術は、最近、大学での実験段階を経て商用化段階に入った。パワーデバイスメーカーにとっては、既存の半導体材料を超える性能を顧客に提供できることから、魅力的なビジネスチャンスになっている。

　iSuppli社でパワーデバイス分野の主任アナリストを務めるMarijana Vukicevic氏は発表の中で、「この2年間に、パワーデバイス業界では注目すべき出来事がいくつかあり、GaNが有望視されるようになった。パワーデバイス分野において、シリコンの使用は実用上限界に達している。さらに、シリコン上にGaN層を成長させる研究において飛躍的前進があった。電力システムの設計者もまた、高効率のシステムを開発して、高電圧製品の電力浪費を削減することを望んでいる」と説明した。

　米International Rectifier（IR）社や米Efficient Power Conversions（EPCC）社といったパワーデバイスメーカーは、GaN製品の提供を始めた。iSuppli社によると、「例えば、IR社は2010年2月に、同社初となるGaN技術を用いたPOL（Point of Load）ソリューションを発表。また、EPCC社は同社のすべてをGaN技術に賭けるべく、同年3月にGaNベースのパワーMOSFET製品を10品種発表した」という。

　iSuppli社は、「3年後には、GaN製品の需要が飛躍的に高まっているだろう」と予測している。

（Electronic News）