OKIエンジニアリングは、SiC(シリコンカーバイド)パワー半導体の固有劣化モードを評価する「AC-BTI(Alternating Current - Bias Temperature Instability)試験サービス」を2026年11月2日から強化すると発表した。同サービスで2027年度末までに累計売上高1億円を目指す。
OKIエンジニアリングは2026年9月29日、SiC(シリコンカーバイド)パワー半導体の固有劣化モードを評価する「AC-BTI(Alternating Current - Bias Temperature Instability)試験サービス」を同年11月2日から強化すると発表した。実際の使用環境に近い条件で効率的な信頼性評価を展開し、顧客の製品開発期間の短縮や品質向上を支援する。同サービスで2027年度末までに累計売上高1億円を目指す。
SiCパワー半導体は、従来のシリコン製パワー半導体と比べて電力損失を抑えられるため、EV(電気自動車)やデータセンター向け電源、風力発電関連機器などへの採用が広がっており、宇宙機器への適用も期待されている。OKIエンジニアリング 信頼性ソリューション事業部の武井康平氏は「SiCパワー半導体を採用することで、エネルギー変換効率が上昇し、発熱量を減らすことができる。そのため、放熱機構を簡略化して小型化/軽量化できる点がメリットである」と語る。
一方、SiCパワー半導体の一種で、電力のオン/オフを制御する半導体スイッチであるSiC MOSFETには、長期間にわたるスイッチング動作によって、しきい値電圧が不可逆的に上昇する固有の劣化モード「AC-BTI」が存在する。この劣化は電力損失の増加につながる可能性があり、長期信頼性を確保するうえで重要な評価課題となっている。武井氏は「しきい値電圧が上昇することで変換効率が落ちて熱が発生しやすくなる。また、AC-BTIの特性については、さまざまな展示会でユーザーから知らなかったという声を聞くことが多い」と説明する。
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