住友金属鉱山が12インチSiC基板を開発、サンプル出荷へ：材料技術

住友金属鉱山は、12インチ（300mm）の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」の開発に成功し、サンプル出荷を開始した。

[遠藤和宏，MONOist]

　住友金属鉱山は2026年9月18日、世界初（同社調べ）となる12インチ（300mm）の貼り合わせシリコンカーバイド（SiC）基板「SiCkrest（サイクレスト）」の開発に成功し、半導体メーカーへのサンプル出荷を行ったと発表した。

左から、6インチ（150mm）、8インチ（200mm）のSiCkrest、開発に成功した12インチ（300mm）のSiCkrest［クリックで拡大］ 出所：住友金属鉱山

性能と低コストを両立させた製品

　SiCkrestは、パワー半導体の主要材料となるSiC基板で、独自の接合技術を応用してウエハーを2層化することで、性能と低コストを両立させた製品だ。低抵抗の多結晶SiC支持基板の上に高品質な単結晶層を薄く貼り合わせることによって、単結晶の特性を維持しつつ、基板全体における低抵抗化と通電劣化抑制効果を実現している。

　パワー半導体市場では、電力変換効率の向上や装置の小型化に対する要求を背景に、SiCパワー半導体の採用が拡大している。併せて、SiC基板の大口径化は、製造コストの低減や生産効率の向上につながるものとして注目されている。

　同社は今後も、SiCkrestの用途開発／供給体制を拡充し、パワー半導体市場における材料技術の発展に貢献する考えだ。また、原料から基板製造に至る一貫生産体制を生かし、次世代デバイス開発を支えるパートナーとして、顧客ニーズに応えていく。

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