次世代組み込みプロセッサ向け18nmプロセス技術、FD-SOIと相変化メモリがベース：組み込み開発ニュース

STマイクロエレクトロニクスは、18nm FD-SOI技術と組み込み相変化メモリをベースにしたプロセス技術を発表した。現行品と比較して電力効率が50％以上向上し、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍になっている。

[MONOist]

　STマイクロエレクトロニクスは2024年3月19日、18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）技術と組み込み相変化メモリ（ePCM）をベースにしたプロセス技術を発表した。

18nm FD-SOIおよびePCM技術を用いた「STM32」マイクロコントローラー［クリックで拡大］ 出所：STマイクロエレクトロニクス

　18nm FD-SOIおよびePCM技術は、STマイクロエレクトロニクスとSamsung Foundryが共同開発したものだ。現行品の40nm組み込み不揮発性メモリ技術と比較して、電力効率が50％以上向上し、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍になった。また、AI（人工知能）やグラフィックアクセラレーター、セキュリティ、安全機能などのデジタルペリフェラルの集積度が3倍に向上したほか、RFノイズが3dB改善している。

　さらに同技術は、3V動作でD-Aコンバーター、パワーマネジメント、リセットシステム、クロックソースなどのアナログ機能に電源を供給できる。同社の車載アプリケーションで実証済みの、高温下での動作、放射線耐性、データ保持機能などの高い信頼性も備えており、産業向けアプリケーションの厳しい要求に応える。

　同技術を用いた「STM32」マイクロコントローラーは、2024年後半に特定顧客向けサンプルの出荷を開始し、2025年後半に量産を開始する。

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