「3D NAND」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

湯之上隆のナノフォーカス（77）：
「ASMLショック」は空騒ぎ？ 覚悟すべきは2025年のトランプ・ショックか
ASMLの2024年第3四半期決算は業績が「期待外れ」とされ、決算発表の翌日に株価が暴落。「ASMLショック」が広がったと報じられた。だが業績の推移を見れば、これが「ショック」でも何でもないことはすぐに分かる。それよりも注視すべきは、中国によるASML製ArF液浸露光装置の爆買い、そして何よりも「トランプ・ショックの到来」ではないだろうか。（2024/11/11）

2025〜27年に4000億米ドルを投資：
300mmファブ装置投資、今後3年間で過去最高額に
SEMIは、世界の300mm半導体前工程ファブ装置への投資額が、今後3年間（2025〜2027年）で総額4000億米ドルに達するとの予測を発表した。過去最高となる投資額を支えるのは、「半導体ファブの地域化」と「AIチップの需要が増加する」ためである。（2024/10/15）

SSDの今と昔が丸分かり
キオクシア抜きでは語れない「新世代SSD」と「メモリの秘話」
SSDはもはや“ストレージ市場の主役”と言っていい存在だ。容量増大をはじめとして今後の進化にも期待が集まる。そうしたSSDの状況は、キオクシアなしに語ることはできない。それはなぜなのか。（2024/9/15）

Lam Researchの第3世代「Cryo」：
「超垂直な」メモリホールを高速加工　1000層NANDの実現に向け
Lam Researchは、1000層を超える3D（3次元） NANDフラッシュメモリの加工に向け、極低温絶縁膜エッチング技術の最新世代「Cryo 3.0」を発表した。100：1という高いアスペクト比のメモリホールを、極めて垂直に高速で加工できるという。（2024/9/2）

360度撮影に対応した2カメラドラレコ「DRV-G60CW」発売　JVCケンウッドより
JVCケンウッドは、360度撮影に対応した2カメラドライブレコーダー「DRV-G60CW」を9月上旬に発売する。前後2カメラに高感度CMOSセンサー「STARVISTM」を搭載し、夜間やトンネルなども鮮明に録画できるという。（2024/8/29）

材料技術：
極低温絶縁膜エッチング技術の第3世代を開発、メモリホールの垂直性を1.6倍に
ラムリサーチは、極低温絶縁膜エッチング技術の第3世代である「Lam Cryo（ラムクライオ） 3.0」を開発した。（2024/8/28）

福田昭のストレージ通信（267）：
FMSの「生涯功績賞」を3D NANDフラッシュ開発で東芝の5人が受賞
「FMS（Flash Memory Summit）」では毎年、フラッシュメモリ技術関連で多大な貢献を成した人物に「Lifetime Achievement Award（生涯功績賞）」を授与してきた。2024年の「FMS（Future Memory and Storage）」では、東芝（当時）で3次元NANDフラッシュメモリ技術「BiCS-FLASH」を開発した5人の技術者が同賞を受賞した。（2024/8/20）

AWSで学ぶクラウド時代のサーバ＆ストレージ基礎知識（2）：
ストレージなんて見たことがない――基礎から学びたい人の「ブロックストレージ」超入門
これまであまり物理的なサーバとストレージに触れてこなかった方を対象に、AWSを用いてサーバとストレージの基礎知識を解説する連載。第2回は、Amazon EC2向けのストレージサービス「Amazon EBS」を詳しく解説する。（2024/7/19）

SSDの大容量化は良いことばかりではない【後編】
TLCやQLCではなく「第1世代SSD」こそが“最強”だった理由
SSDの用途が広がってきた背景にあるのは、SSDの容量を増やす技術の進化だ。だが、SSDの大容量に伴うデメリットを避けるために、「第1世代のSSD」を選ぶこともある。（2024/7/13）

MSI、大型ヒートシンクを備えたPCIe Gen5対応のM.2 NVMe SSD「SPATIUM M580 PCIe 5.0 NVMe M.2 FROZR」を販売開始
エムエスアイコンピュータージャパンは、PCIe Gen5対応M.2 NVMe SSD「SPATIUM M580 PCIe 5.0 NVMe M.2 FROZR」の国内販売開始を発表した。（2024/5/31）

日本は「採択率の高さを維持」：
「VLSIシンポジウム2024」は投稿論文が40％増で激戦に、中国が躍進
VLSIシンポジウム委員会は、LSIに関する国際学会「VLSIシンポジウム2024」開催に向けた記者説明会を開催した。同学会への投稿論文は897件と過去最高だった。（2024/4/25）

DRAMとの“距離”はまだ遠く：
「3D NANDの進化」に必要な要素とは
新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。（2024/4/1）

2024年のNANDフラッシュ需要動向は：
キオクシアとWD、業績改善に向け工場稼働率を9割近くまで引き上げか、TrendForceが分析
TrendForceが、2024年のNAND型フラッシュメモリ市場についての分析を公開した。それによると、キオクシア ホールディングスとWestern Digitalは工場稼働率を90％近くまで引き上げているという。（2024/3/27）

メモリ市場回復とHPC／車載用途の需要増で：
300mmファブ装置投資額、2025年に初めて1000億ドル超えに
SEMIは、世界の300mm半導体前工程ファブ用装置への投資額が、2025年に初めて1000億米ドルを超え、2027年には1370億米ドルに達するとの予測を示した。メモリ市場の回復とHPC／車載用途の需要増が理由だ。（2024/3/25）

ウエハーエッジの重要性が増す：
先端半導体製造の歩留まり向上に効く「ベベル成膜」とは
半導体製造の歩留まり向上に貢献する、ベベル成膜技術とベベルエッチング技術について解説する。（2024/2/19）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版：
「3D NANDの進化」に必要な要素とは ―― 電子版2024年2月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年2月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『「3D NANDの進化」に必要な要素とは 』です。（2024/2/16）

先端3D NANDフラッシュメモリ生産：
経産省、キオクシア四日市／北上工場の設備投資に2429億円助成
経産省がキオクシアホールディングスとWestern Digitalによる先端3D NANDフラッシュメモリ量産に向けた国内2工場への設備投資などに対し、最大2429億円を助成する。（2024/2/6）

高速な読み出し／書き込みを実現：
UFS Version 4.0準拠の車載用フラッシュメモリ
キオクシアは、次世代の車載機器に向け、JEDEC標準仕様「UFS Version 4.0インタフェース」に準拠した組み込み式フラッシュメモリ（UFS製品）を開発、サンプル出荷を始めた。（2024/2/1）

2022〜2024年に82の新ファブ操業：
半導体生産能力、2024年に初の月産3000万枚台へ
SEMIは、2024年の世界半導体生産能力が初めて月産3000万枚（200mmウエハー換算）台に達するとの予測を発表した。主な成長要因として最先端ロジックとファウンドリーの生産能力増強、生成AI（人工知能）やHPC（高性能コンピューティング）などに向けたチップ需要の回復を挙げた。（2024/1/12）

PCIeに初対応、産業用途に特化：
消費電力が一般品の半分＆瞬停にも対応、TDKの産業向け新SSD詳細
TDKが、高速バスインタフェース規格「PCI Express（PCIe）」に同社として初めて対応した産業機器向けのM.2 2280タイプSSD「SNP1Aシリーズ」を開発した。信頼性や安定動作が重視される産業用途に特化する形で開発したという同製品の詳細を、TDKの担当者に聞いた。（2023/12/27）

MSI、リード5000MB/sを実現したPCIe Gen4対応M.2 NVMe SSD
エムエスアイコンピュータージャパンは、PCIe Gen4接続に対応する内蔵型M.2 NVMe SSD「SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB」を発売する。（2023/11/21）

2024年以降は需要高まる：
半導体材料市場、2027年は586億米ドル規模へ
半導体材料の市場規模は、2023年見込みの465億米ドルに対し、2027年は586億米ドルに拡大すると予測した。2022年前半から始まった半導体デバイスの在庫調整が一段落し、2024年以降は半導体材料も需要が高まる見通し。（2023/10/13）

湯之上隆のナノフォーカス（64）：
裏面電源供給がブレークする予感、そしてDRAMも3次元化に加速 〜VLSI2023
2023年6月に開催された「VLSIシンポジウム2023」は大盛況であった。本稿では、筆者が“ブレークの予感”を抱いた裏面電源供給技術と、3D（3次元） NAND／DRAM技術に焦点を当てて、解説する。（2023/7/26）

Solidigm、QLC NANDを採用したデータセンター向け大容量SSD
Solidigmは、データセンター向けとなるQLC NAND採用SSD「Solidigm D5-P5336」を発表した。（2023/7/24）

湯之上隆のナノフォーカス（63）：
日本の前工程装置のシェア低下が止まらない 〜一筋の光明はCanonの戦略
筆者は2022年7月のコラムで、日本の前工程装置の世界シェアが、2010年から2021年にかけて急落していることを報告した。2022年もその状況は改善されていない。だが、露光装置には、一筋の光明を見いだせそうである。（2023/6/23）

Yoleが分析：
米国の規制強化も、中国メモリ産業に「減速の兆しなし」
Yole Groupは、米国の対中輸出規制の影響は大きいが、「メモリは中国の半導体エコシステムにとって戦略的優先事項であり続け、中国は主力メモリ企業存続のためあらゆる手を尽くすことは確実だ」としている。（2023/5/15）

トランセンド、USB Type-A/Type-Cで使えるポータブルSSD
トランセンドジャパンは、最大転送速度1050MB/s、USB 10Gbpsに対応し、USB Type-A/Type-Cのデュアルコネクタを搭載したポータブルSSD「ESD310C」シリーズを2023年5月中旬に発売する。価格はオープンプライスで、市場想定価格は1TBモデルの「TS1TESD310C」が1万1800円、500GBモデルの「TS500GESD310C」が7980円、256GBモデルの「TS256GESD310C」が5980円（いずれも税込み）。（2023/5/1）

湯之上隆のナノフォーカス（61）：
ここが変だよ 日本の半導体製造装置23品目輸出規制
2023年3月、経済産業省は、半導体製造装置など23品目を輸出管理の対象として追加する方針を固めた。だが、ここで対象とされている製造装置、よくよく分析してみると、非常に「チグハグ」なのである。何がどうおかしいのか。本稿で解説したい。（2023/4/25）

今は臥薪嘗胆：
今どきの10万円PCはどこまでパワーアップできる？　メモリ／ストレージ／GPUを強化してみて分かったこと
税込み10万円以下で一通りのシステムが手に入る、マウスコンピューターのスタンダードデスクトップPC「mouse DT3」。この標準構成のモデルをベースに、お手頃なパワーアップを試してみた。（2023/3/31）

湯之上隆のナノフォーカス（60）：
Intelとメモリメーカーは生き残れるのか？ 〜驚愕のMPU/メモリ市況
MPU、DRAM、NAND型フラッシュメモリの市況が大変なことになっている。半導体メーカーの統廃合が起きるかもしれない――。そう思わざるを得ないほど事態は深刻だ。（2023/3/29）

量産時の歩留まりを最大化：
高NA EUVにも対応、アプライドの高解像度CD-SEM
アプライド マテリアルズは、電子ビームのランディングエネルギーが低いCD-SEM（測長走査型電子顕微鏡）「VeritySEM 10」を発表した。従来装置に比べ2倍の解像度を実現しており、高NA EUVリソグラフィなどでパターニングされた半導体デバイスの微細な寸法計測に向ける。（2023/3/13）

EE Exclusive：
半導体業界 2023年の注目技術
本稿では、2023年を通してEE Times Japan編集部が注目するトレンド／技術を紹介する。（2023/2/13）

産業用で発揮する4つのメリット：
3D TLC NANDフラッシュを「疑似SLC」として使用する利点とは
TLCを1セル当たり1ビットで動作させる疑似SLCモード（pSLC）の機能について解説します。（2023/2/6）

TLCの技術とSSDの今後【第4回】
“SSDの形”が変われば“容量”が増える？
保管すべきデータが増えるのに合わせて、どこまでもストレージの設置面積を増やせるとは限らない。SSDやNAND型フラッシュメモリの新しい技術は、この問題にどう向き合うのか。（2023/2/6）

トランセンド、M.2 2242に対応した短寸設計のM.2 NVMe SSD
トランセンドジャパンは、長さ42mmの短寸設計を実現したM.2 NVMe SSD「MTE400S」シリーズを発売する。（2023/2/3）

TLCの技術とSSDの今後【第3回】
高速SSDが欲しいなら見逃せない“NAND型フラッシュメモリの高速化”
データを読み書きする速度において一般的にはHDDを上回るSSD。その内部に搭載するNAND型フラッシュメモリにおいては、どのような技術の進化が起きているのか。（2023/1/30）

TLCの技術とSSDの今後【第2回】
NAND型フラッシュメモリの進化は“無意味”なのか、“役立つ”のか
企業においてSSDの利用が広がる中で進む変化の一つが、NAND型フラッシュメモリの進化だ。主要ベンダーの新世代製品には、どのような利点が見込めるのか。（2023/1/23）

湯之上隆のナノフォーカス（58）：
なぜTSMCが米日欧に工場を建設するのか 〜米国の半導体政策とその影響
本稿では、米国の半導体政策に焦点を当て、それが世界にどのような影響を及ぼしてきたか、または及ぼすと予測されるかについて論じる。（2023/1/19）

ビット密度と層数：
異なるアプローチでNANDの覇権を争うSamsungとMicron
Samsung ElectronicsとMicron Technologyは依然としてNAND型フラッシュメモリ市場で覇権を争っている。最近両社は、種類は異なるものの、いずれも高密度な3D NANDソリューションを発表した。（2023/1/12）

EE Exclusive：
2022年の半導体業界を振り返る 〜景気低迷の露呈と進む分断
本稿では、2022年後半となる7〜12月の出来事を、EE Times Japanの記事とともに振り返る。（2022/12/28）

実売10万円切りPC「mouse DT3」と便利な「外付け電源スイッチ」を試す！
マウスコンピューターのスタンダードデスクトップPC「mouse DT3」に、「外付け電源スイッチ」なるオプションが加わった。第12世代Core i3プロセッサ搭載モデルをベースに試してみた。（2022/12/21）

「優位性の維持は困難」とアナリスト：
中国YMTCが232層NANDを製品化、TechInsightsが分析
中国の新興メモリメーカーYMTCが、世界初となる200層以上の3D（3次元） NAND型フラッシュメモリの商品化において、Samsung Electronics（以下、Samsung）やMicron Technologyなどの大手ライバルをリードしているという。ただし、業界アナリストの予測では、その優位性はやがて崩れていくとみられている。（2022/12/13）

湯之上隆のナノフォーカス（56）：
リーマン・ショック級のメモリ不況の到来 〜その陰にIntelの不調アリ
半導体市場の不調が明らかになっている。本稿では、世界半導体市場統計（WSTS）のデータ分析を基に、今回の不況がリーマン・ショック級（もしくはそれを超えるレベル）であることと、その要因の一つとしてIntelの不調が挙げられることを論じる。（2022/11/21）

2023年1月から「レゾナック」に：
「後工程で圧倒的な存在感を出せる」、昭和電工が強調
昭和電工は2022年11月1日、記者説明会を開催し、半導体業界における同社の強みや戦略などを語った。昭和電工は2020年に旧・日立化成（現・昭和電工マテリアルズ）を買収して経営統合を進めてきた。両社は2023年1月1日、統合新会社「レゾナック（RESONAC）」となる。（2022/11/10）

フラッシュメモリ「35年」の進歩と歴史【第3回】
高速SSD「Optane」の“後継”はあのストレージ？
フラッシュメモリの一大イベント「Flash Memory Summit」で、SSDやNAND型フラッシュメモリに関するさまざまな発表があった。Optaneの事業終了を含め、専門家が注目したポイントは。（2022/11/9）

キオクシア社長 早坂伸夫氏：
NANDフラッシュの市況は厳しいが「投資の手は絶対に緩めない」
2022年10月26日、キオクシアの四日市工場（三重県四日市市）に完成した第7製造棟（Y7棟）の竣工式が開催された。同日には、竣工式とともに記者説明会も開催され、キオクシア 代表取締役社長の早坂伸夫氏と、同社 常務執行役員 四日市工場長 松下智治氏が、報道機関からの質問に答えた。（2022/11/9）

モバイル向けにLPDDR5Xから：
Micronが1βnmノードのDRAMを出荷開始、広島で製造
Micron Technology（以下、Micron）は2022年11月1日（米国時間）、1βnm世代を適用したDRAM（以下、1β DRAM）の量産を開始したと発表した。同社によれば、加工寸法は13nmレベルだという。（2022/11/2）

162層3D NANDは23年初頭に出荷へ：
キオクシア四日市工場 第7製造棟で量産を開始
キオクシアとWestern Digital（WD）は2022年10月26日、キオクシアの四日市工場（三重県四日市市）に完成した第7製造棟（Y7棟）の竣工式を開催した。今回完成した部分は第1期分にあたり、2021年2月に着工、2022年4月に完成した。投資総額は1兆円規模となった。Y7棟の完成により、四日市工場全体の生産能力は従来の1.3倍に増強される。（2022/10/27）

NANDとDRAMの市場は需要が鈍化：
Samsungが半導体市場の失速について警鐘を鳴らす
メモリ市場は2000年代初期のように、非常に変動の激しい状態にある。当時はEnronを含むいくつかの企業がDRAMの先物取引市場を形成しようとしていた。世界最大のメモリチップメーカーであるSamsung Electronics（以下、Samsung）は、半導体業界が2022年をハードランディング（急激な失速）で終える可能性があると警告した。（2022/9/12）

PCMの未来は：
Intelが撤退を公表、3D XPointはどんな遺産を残す？
Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。（2022/8/30）