ニュース
大型産業機器向けパワー半導体モジュールのラインアップを拡充：FAニュース
三菱電機は、大型産業機器向けパワー半導体モジュール「X」シリーズに、「HVIGBTモジュール」2品種と「HVDIODEモジュール」5品種を追加した。ラインアップ拡充により、鉄道車両、大型産業機器向けインバーターの幅広い容量帯に対応する。
三菱電機は2021年4月26日、大型産業機器向けパワー半導体モジュール「X」シリーズに、「HVIGBT（高耐電圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）モジュール」2品種と「HVDIODE（高耐電圧ダイオード）モジュール」5品種を追加した。同年7月1日から順次発売する。
HVIGBTモジュールは1.7kV、4.5kVの2品種、HVDIODEモジュールは1.7〜4.5kVの5品種。ラインアップの拡大でXシリーズは24品種となり、鉄道車両、大型産業機器向けインバーターの幅広い容量帯に対応する。
両モジュールは、同社独自のCSTBT構造を採用した第7世代IGBTと、RFCダイオードを搭載し、定格電流が拡大している。また、耐電圧、定格電流が同等の同社従来品と比較すると、外形サイズが約33％縮小している。これらにより、インバーターの大容量化、小型化に貢献する。
定格電流が同じ従来製品と外形互換性があるため、容易に置き換えられ、インバーターの開発期間を短縮する。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
三菱電機、パワー半導体の開発製造拠点に開発試作棟を建設
三菱電機は、福岡県福岡市のパワーデバイス製作所に「開発試作棟」を新設する。パワー半導体の開発体制を強化し、電力損失をさらに低減するための新技術、新製品の開発を加速する。
SiCパワー半導体の回路シミュレーションを高精度化、三菱電機から新SPICEモデル
三菱電機は2020年7月9日、同社が開発したSiCパワー半導体「SiC-MOSFET」のスイッチング速度を高精度でシミュレーション可能な独自のSPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）モデルを新開発したと発表した。実測とほぼ同等のシミュレーションが可能となり、SiC-MOSFETを搭載したパワーエレクトロニクス機器の回路設計作業を効率化できる、
三菱電機がシャープ福山事業所の一部を取得、パワー半導体の前工程拠点に
三菱電機は、パワーデバイス製作所のウエハープロセス工程の新たな製造拠点を広島県福山市に開設すると発表した。シャープから、同社の福山事業所（広島県福山市）の一部の土地と建屋などを取得して製造ラインを構築する。
半導体露光機で日系メーカーはなぜASMLに敗れたのか
法政大学イノベーション・マネジメント研究センターのシンポジウム「海外のジャイアントに学ぶビジネス・エコシステム」では、日本における電子半導体産業の未来を考えるシンポジウム「海外のジャイアントに学ぶビジネス・エコシステム」を開催。半導体露光機業界で日系企業がオランダのASMLに敗れた背景や理由について解説した。
ナノスケールのちりの影響を抑制、半導体製造装置が目指すIoT活用
「SEMICON Japan 2016」のIoTイノベーションフォーラムで登壇した東京エレクトロン執行役員の西垣寿彦氏は、半導体製造における“ちり”の管理と、IoTを使った生産性向上の取り組みについて紹介した。
72台の装置を半日で稼働、日本発「ミニマルファブ」が変える革新型モノづくり
産総研コンソーシアム ファブシステム研究会などは「SEMICON Japan 2016」で、「ミニマルファブの開発成果を発表。同研究会などが推進するミニマル生産方式による製造装置「ミニマルシリーズ」72台を設置し、半導体製造工程のほとんどをカバーできるようになった成果をアピールした。