GaNデバイスの性能を最大化する超高速駆動制御IC技術を確立：組み込み開発ニュース

ロームは、GaNデバイスなど高速スイッチングデバイスの性能を最大化する、超高速駆動制御IC技術を確立した。同技術採用の制御IC製品として、2023年後半に100V入力1チャンネルDC-DCコントローラーをサンプル出荷する予定だ。

[MONOist]

　ロームは2023年3月3日、GaN（窒化ガリウム）デバイスなどの高速スイッチングデバイスの性能を最大化する、超高速駆動制御IC技術を確立したと発表した。同技術を搭載した制御IC製品として、2023年後半に100V入力1チャンネルDC-DCコントローラーをサンプル出荷する予定だ。

超高速駆動制御IC技術のイメージ（クリックで拡大） 出所：ローム

　電源ICで追求してきた超高速パルス制御技術「Nano Pulse Control」を発展させ、これまで9ナノ秒だった最小制御パルス幅を2ナノ秒にまで縮小。高周波領域の高い降圧比により中間電圧用の電源ICを不要にした。48V系や24V系のアプリケーションを中心に、最大60.0Vから0.6Vへの降圧変換をひとつの電源ICで達成できるようになった。

電源ICの制御パルス幅をナノ秒オーダーにすることで、高電圧から低電圧への変換を可能にする（クリックで拡大） 出所：ローム

　同社のGaNデバイス「EcoGaNシリーズ」と開発中のDC-DCコントローラーを組み合わせることにより、従来のSiデバイスで構成した電源回路と比べて、実装面積を86％削減できる。データセンターや基地局、FA機器、ドローンなど、さまざまなアプリケーションの省エネ化や小型化につながると期待している。

GaNデバイスと組み合わせた高周波スイッチングにおける駆動周辺部品の小型化につながる（クリックで拡大） 出所：ローム

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