ニュース
QLC技術採用、UFS Ver3.1準拠のPoC試作品のサンプル出荷を開始：組み込み開発ニュース
キオクシアは、モバイル機器向け組み込み式フラッシュメモリのPoC試作品のサンプル出荷を開始した。QLC技術を採用し、UFS規格に準拠しているため、ストレージの大容量化と高機能化のニーズに応える。
キオクシアは2022年1月19日、モバイル機器向けの新しい組み込み式フラッシュメモリのPoC（Proof of Concept）試作品について、OEM顧客へのサンプル出荷を開始した。
PoC試作品は、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の1Tビット（128Gバイト） QLC（クアッドレベルセル）製品を用いた、512GバイトQLC UFS（ユニバーサルフラッシュストレージ）製品だ。QLC技術により、1つのメモリセルに4ビットのデータを記録できる。また、UFS規格 Version 3.1インタフェースに準拠し、ホスト機器との間で、全二重通信によるデータの読み出しと書き込みを同時に実行できる。
同社はサンプル出荷を通じて、同製品がスマートフォンのフラグシップモデルなどハイエンドのモバイル機器で、優れた性能を発揮できることを確認する。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
マイクロンの176層NANDは3つの技術で実現、一気に「業界のリーダー」へ
マイクロン（Micron Technology）がオンラインで会見を開き、2020年11月9日に量産出荷を開始した「世界初」（同社）の176層3D NANDフラッシュメモリ（176層NAND）の技術について説明した。
ソニー製STT-MRAMをSSDに搭載、Nextorageがデモを披露
ソニーグループのメモリストレージベンダーであるNextorageは、「第6回 IoT＆5Gソリューション展 秋」において、STT-MRAMを記憶媒体として用いたPCI-ExpressベースのSSDのデモンストレーションを披露した。STT-MRAMは、ソニーセミコンダクターソリューションズで開発中のものを使用している。
新製造棟建設により、3次元フラッシュメモリの生産能力を増強
キオクシアは、四日市工場で第7製造棟の起工式を実施した。第7製造棟の建設により、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の生産能力を増強し、最先端フラッシュメモリ製品の柔軟な生産、出荷体制を確立する。
96層3次元フラッシュメモリの生産へ、東芝メモリとウエスタンデジタルが共同投資
東芝メモリとWestern Digitalは、東芝メモリが建設中の北上工場 第1製造棟において、共同で設備投資を実施する。同製造棟では、2020年から96層3次元フラッシュメモリの生産開始を予定している。
TLC方式の3D NANDフラッシュがeMMCにも、ウエスタンデジタルの新製品
ウエスタンデジタルは2019年5月30日、東京都内で記者説明会を開き、車載向けのNANDフラッシュメモリの新製品「iNAND AT EM132 EFD」を発表した。自動運転技術の採用やコネクテッド化で高容量ストレージへの需要が高まっていることに対応する。
自動車が必要とする1TBのフラッシュメモリの実現へ、従来比2.5倍の高速処理も
ウエスタンデジタルは2018年10月18日、車載用NAND型フラッシュメモリの新製品「iNAND AT EU312 UFS EFD」を発表した。