「Hybrid Memory Cube」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

カスタムか、標準か：
メモリベンダーの「生き残り戦略」を考察する
急速に成長している市場として注目を集めるHBM（広帯域幅メモリ）。HBMをはじめ、メモリを手掛けるメーカーは、どのような戦略を立てるべきなのか。本稿ではメモリベンダーの“生き残り戦略”を解説する。（2024/5/31）

湯之上隆のナノフォーカス（72）：
NVIDIAのGPU不足は今後も続く　ボトルネックはHBMとTSMCの中工程か
NVIDIAのGPUが足りていない。需要そのものが大きいこともあるが、とにかく供給が追い付いていない。本稿では、その要因について詳細を分析する。（2024/5/7）

特許ポートフォリオを分析：
TSMC、Samsung、Intel……チップメーカーの運命を示す特許動向
特許ポートフォリオの構築は、成功への道として試行錯誤が繰り返されているが、確実な成功を保証するわけではない。まずその特許の数が1つの目安となるが、 企業が出願し取得する特許の品質は、同じくらい重要である。では、どの半導体メーカーが賢明な特許ポートフォリオを構築し、どの半導体メーカーが単に目的のために特許ポートフォリオを蓄積しているだろうか。（2022/4/28）

インメモリ処理のバックエンドストレージを考える
「NVDIMM」はなぜインメモリデータベースの“相棒”になり切れないのか？
高速なデータ処理を可能にする「インメモリデータベース」は、電源を切るとデータを保持できないのが一般的だ。そのためバックエンドのストレージシステムが重要になるが、技術選定は容易ではない。（2017/9/25）

「ソフトウェア定義メモリ」がもたらすチャンスと課題
「NVDIMM」「DRAM」強化で“ソフトウェア定義メモリ”実現、驚きの性能とは？
NVDIMMとDRAMの役割が拡大し、ソフトウェア定義メモリが実現することで、今後、企業データセンターの柔軟性が向上することが予想される。ただし幾つか課題もある。（2017/8/31）

ITインフラを変える新潮流【後編】
ハイパーコンバージドインフラに賭けるべきか？　その答えは……
ハイパーコンバージドインフラの導入が増えている現状で、「導入しない」とする場合、代わりになる方法の妥当性を検討することになる。構成要素技術の将来性と併せて考察する。（2017/6/14）

現実味を増す“ソフトウェア定義メモリ”
徹底解説：次世代メモリ技術「NVDIMM」、不揮発性メモリはストレージをどう変える？
さまざまな次世代メモリ技術の発展により、ストレージとメモリを統合するハイブリッドアプローチが登場している。その結果「ソフトウェア定義メモリ」というアイデアが現実味を帯び始めている。（2017/5/16）

「ITF 2016」で語られた半導体の未来（3）：
FinFETサイズの物理的な限界は？
ベルギーで開催された「IMEC Technology Forum（ITF） 2016」では、2.5D（2.5次元）のチップ積層技術や、FinFETのサイズの物理的な限界についても触れられた。（2016/6/17）

NANDフラッシュとDRAMを手掛ける数少ないメーカー：
Micron、ストレージ分野の事業展開を強化
NAND型フラッシュメーカーやDRAMメーカーの数が減っていく中、両方を手掛けるMicron Technologyは、自社が「独自のポジションを築いている」と自負する。より差異化を図るべく、メモリメーカーというよりも、ストレージシステムのビジネスに力を入れていきたい考えだ。（2016/4/19）

SYSTEM DESIGN JOURNAL：
「SoC」or「SoC」？統合へのさまざまな道
1つのダイに複数機能を実装するSoC（System on Chip）化の波は高まるばかりです。アーキテクトはダイ間接続とマルチダイパッケージングの動向に注意を払い、コストや消費電力、将来性までも視野に入れた選択をしなければなりません。（2016/2/10）

SYSTEM DESIGN JOURNAL：
組み込みコンピューティングに向けた、ハードウェアアクセラレーションの選択肢
組み込みコンピューティングを加速させるハードウェア・アーキテクチャとは何でしょうか。DSP？GPU？それともメニーコアでしょうか。どのアプローチが最も適するのかを考察します。（2016/1/22）

ハイパーコンバージドインフラが主流になるか
SSDだけではない、2020年までに劇的変化を遂げる“サーバ”未来予想図
サーバアーキテクチャは10年間の集大成として大きな変化が起こっている。サーバパフォーマンスが増強されれば、データセンターがストレージとネットワークにアプローチする方法も変わっていくだろう。（2015/12/28）

ビジネスニュース 業界動向：
CMOSイメージセンサーが引っ張る3次元積層技術
チップを積層し、TSV（シリコン貫通電極）などで接続する3次元IC技術。CMOSイメージセンサーでも、3次元化が進んでいる。（2015/2/23）

プログラマブルロジック：
ザイリンクスが400Gb イーサネットの動作デモを公開――20nmFPGAで
Xilinx（ザイリンクス）は2014年11月、エンジニアリングサンプル（ES）出荷段階にある20nmプロセスを用いたFPGA「Virtex UltraScaleファミリ XCVU095」を使用した400Gビット イーサネットの動作デモを公開した。（2014/11/19）

メモリ/ストレージ技術：
SKハイニックス、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」を開発――20nmプロセス採用
SKハイニックスは2014年9月、次世代モバイル用DRAM「Wide I/O 2」の開発に成功した。これは業界で初めて開発されたものとされ、これまで発表してきた超高速メモリ（HBM）と合わせて、既存のDDRシリーズで構成されたDRAM製品群を高性能メモリで広げることで、市場での地位を強固にするための試みとみられる。（2014/10/2）

メモリ/ストレージ技術：
次世代ストレージ、10個の注目技術
3次元DRAMの量産が始まり、相変化メモリ（PCM）、スピン注入磁気メモリ（STT-MRAM）など次世代メモリの技術開発がさかんになっている。ここでは、注目のメモリ技術を10個紹介する。（2014/9/29）

メモリ/ストレージ技術：
「HMCが今後のトレンドに」――マイクロンの技術者が語る
米国で行われた「DesignCon 2014」で、マイクロンのチーフテクノロジストが、同社の次世代メモリ技術「Hybrid Memory Cube（HMC）」を含む、DRAMの後継技術について見解を語った。（2014/2/4）

メモリ/ストレージ技術：
活気づくNANDメモリ市場、各社の1Xnm世代製品を振り返る
ストレージや組み込みシステムの分野において、NAND型フラッシュメモリの重要性が高まっている。東芝、サムスン電子、SK Hynix、Micronといったベンダーの、最新プロセスを用いた製品を振り返ってみたい。（2013/12/6）

ビジネスニュース：
3Dチップ開発、メーカーの動きは？
3次元積層技術を用いたチップ（3Dチップ）の開発動向に注目が集まっている。こう着状態にも見える3Dチップの開発だが、メーカーは着実に前進しているようだ。（2013/11/14）

メモリ/ストレージ技術：
サムスンとSK Hynix、ISSCCで次世代メモリを披露
Samsung Electronics（サムスン電子）とSK Hynixは、2014年に開催される半導体集積回路技術の国際会議「ISSCC 2014」で、LPDDR4や広帯域メモリ（HBM）など、次世代のメモリを披露する。（2013/11/11）

前田真一の最新実装技術あれこれ塾：
第25回 量産技術化が進むTSV
実装分野の最新技術を分かりやすく紹介する前田真一氏の連載「最新実装技術あれこれ塾」。第25回は、量産技術として開発が加速しているTSV（Through Silicon Via）の最新動向を解説する。（2013/9/12）

EE Times Japan Weekly Top10：
3次元DRAMの仕様公開、早期の実用化に期待
EE Times Japanで先週（2013年4月7日〜4月13日）に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場！！（2013/4/15）

メモリ/ストレージ技術：
次世代メモリ「HMC」の仕様バージョン1を公開
DRAMチップを3次元方向に積層し、シリコン貫通電極で接続するHybrid Memory Cube（HMC）。転送速度が大幅に高速化するHMCが早期に製品化されれば、あらゆる機器に大きな改善をもたらすだろう。（2013/4/9）

Sandy Bridgeは“12畳半”のはずだった：
マルチコアから高性能コアで進化を目指すインテルのCPU
i4004が登場してから40年。プロセスルールは微細化し、CPUは単体コアの性能強化からマルチコアで進化するようになった。この先の進化をラトナー氏に聞く。（2011/11/29）