「DRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

南亜科技と共同開発：
酸化物半導体を用いた新しいDRAM技術を開発　キオクシア
キオクシアは、酸化物半導体（InGaZnO）トランジスタを用いて新たなDRAM技術を開発した。オフ電流が極めて少なく、従来のDRAMに比べ消費電力を低減できるという。（2024/12/12）

メインメモリの新たな進化
PC新世代のメモリ規格「CAMM」と「DIMM」の決定的な違い
DRAMのメモリモジュール規格「DIMM」に代わる「CAMM」が採用され始めている。CAMMはDIMMとは何が違うのか。メモリモジュール進化の変遷を踏まえて解説する。（2024/12/9）

最大42.5Gbpsの高速転送も：
Samsungが「業界初」24GビットGDDR7 DRAMを開発、次世代AI向け
Samsung Electronicsが「業界初」（同社）となる24GビットのGDDR7 DRAMを開発した。2024年中に主要GPU顧客の次世代AIコンピューティングシステムでの検証が開始され、2025年初めには生産開始する予定だという。（2024/10/18）

8層品と同じ厚さで容量50％増：
SK hynixが12層HBM3E製品を「業界初」の量産開始
SK hynixが、「業界で初めて」（同社）12層のHBM3E製品の量産を開始した。DRAMチップを40％薄くしたことで、従来の8層製品と同じ厚さで容量は36Gバイトを実現している。2024年末までに顧客に供給予定だという。（2024/9/27）

次世代AI PCに向け：
「Lunar Lake」ことCore Ultra 200V技術詳細　メモリ統合など設計変更も
Intelは「Lunar Lake」のコード名で開発していたAI（人工知能） PC向けSoC（System on Chip）「Core Ultra 200V」を発表した。DRAMをパッケージ内に統合したほか、P-Coreのハイパースレッディングを廃止するなど、大幅な設計変更を行った。（2024/9/12）

かつての主要DRAMメーカー：
InfineonがQimondaの破産管財人と和解、7.5億ユーロ支払いへ
Infineon Technologiesは2024年8月22日、かつての子会社で2009年に破産したDRAMメーカーであるQimonda（キマンダ）の破産管財人との間で続いていた係争について、和解に合意したと発表した。Infineonが7億5350万ユーロを支払うという。（2024/8/26）

「龍仁半導体クラスタ」に：
SK hynixが韓国新工場建設に1兆円超投資へ、HBM生産
SK hynixは、韓国・龍仁市に構築される「龍仁半導体クラスタ」での第1工場および関連施設建設に約9兆4000億ウォン（約68億米ドル／約1兆290億円）を投資すると決定した。HBMをはじめとする次世代DRAMを生産する。（2024/8/1）

最大25%の低抵抗化も実現：
銅配線を2nmノード以下に微細化、Appliedが新材料
Applied Materialsが、銅配線の2nmノード以降への微細化と最大25%の低抵抗化を実現する新材料技術を開発した。チップの静電容量を低減し、3D積層ロジック／DRAMチップの高強度化も実現する。（2024/7/29）

生成AIの普及でHBMの需要が増す中：
GDDR7 DRAMはAI用途でHBMの「代替品」として飛躍する可能性も
JEDEC Solid State Technology Associationは2024年3月に、次世代グラフィックス製品向けのメモリ規格「GDDR7」の仕様策定を完了したと発表した。生成AI（人工知能）の急速な普及に伴い、HBM（広帯域幅メモリ）の需要が大幅に増加する中、GDDR7がHBMの“代用品”になる可能性があると関係者は語る。（2024/5/23）

米バイデン政権、Micronの国内DRAM工場に最大61億ドルの助成金
米連邦政府は米半導体大手のMicron TechnologyのDRAM生産拡大に、最大61億4000万ドルの助成金を提供すると発表した。Micronはアイダホ州とニューヨーク州の3つのファブに500億ドルを投じる計画だ。（2024/4/26）

データセンター需要と民生機器買い替えで：
2024年はDRAM／NAND市場が回復へ　需給バランスも正常化
市場調査会社のYole Groupは、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ（以下、NAND）の市場分析を発表した。2023年のDRAM／NANDの売上高は供給過剰で価格が下落し2016年以来の低水準となったが、2024年にはデータセンター／民生機器などの需要増と各社の戦略的減産によって需給バランスが正常化し、市場が回復に向かう見込みだという。（2024/4/12）

TrendForceが調査：
台湾地震、TSMCなどファウンドリーやDRAMメーカーの「初期被害は軽微」
2024年4月3日朝、台湾東部沖を震源とするマグニチュード7.2の地震が発生した。台湾の市場調査会社TrendForceによると、TSMCやUMCなどのファウンドリーやDRAMメーカー各社は点検のため工場をの操業を相次いで停止したものの、初期被害は軽微とみられるという。（2024/4/4）

DRAMとの“距離”はまだ遠く：
「3D NANDの進化」に必要な要素とは
新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。（2024/4/1）

工場ニュース：
韓国に先端半導体向け新規材料の製造棟を新設、次世代以降DRAM向けなど量産
ADEKAは、ADEKA KOREA CORPORATION全州第三工場内に、先端半導体向け新規材料の製造棟を新設する。次世代以降DRAM向け新規材料や、次世代ロジックおよびNAND向け材料の製造を予定する。（2024/3/18）

24年前半に量産開始へ：
Samsungが、「業界初」12層の36GB HBM3E DRAMを開発
Samsung Electronicsが、「業界初」（同社）となる12層の36Gバイト（GB）HBM3E DRAM製品「HBM3E 12H」を開発した。既にサンプル出荷を行っていて、2024年前半の量産開始を予定している。（2024/2/27）

湯之上隆のナノフォーカス（69）：
2024年の半導体市場、本格回復はメモリ次第 〜HBMの需要増で勢力図も変わる？
半導体市場の本格的な回復が予想されている2024年。鍵を握るのがメモリだ。本稿では、DRAM／NAND型フラッシュメモリの価格推移と企業別売上高の動向から、半導体市場の回復基調の時期を探る。さらに、そこから読み取れる、メモリメーカーの“栄枯盛衰”を示す。（2024/1/18）

マイクロン 128GバイトDDR5 RDIMM：
32GビットDDR5 DRAM採用のメモリモジュール
マイクロン・テクノロジーは2023年11月、モノリシックチップベースの128GバイトDDR5 RDIMMを発表した。競合製品と比較して、ビット密度は45％以上、エネルギー効率は最大24％、AI（人工知能）学習のパフォーマンスは最大28％向上している。（2023/12/6）

Micronがモノリシック32Gb DRAMを採用した128GB DDR5 RDIMMを発表
米Micron Technologyは、モノリシック32Gb DRAMを採用した大容量高速仕様の128GB DDR5 RDIMMを発表した。（2023/11/28）

マイクロン 16GビットDDR5 DRAM：
転送速度が最大7200MT/秒、1βプロセス採用の16GビットDDR5 DRAM
マイクロンテクノロジーは、1βプロセスを採用した、16GビットのDDR5 DRAMを発表した。転送速度は4800〜7200MT/秒で、AIの学習や推論、生成AI、IMDBデータ分析などのアプリケーションの稼働を高いパフォーマンスで実行できる。（2023/11/9）

EUV露光を用い1γDRAMを生産：
経産省、Micron広島工場に最大1920億円を助成
Micron Technologyの広島工場（広島県東広島市）は、経済産業省より最大1920億円の助成金を受け取ることに決まったと発表した。EUV（極端紫外線）露光を用いた1γ（ガンマ）DRAMの生産や、次世代広帯域メモリ（HBM4）の研究開発などに充てる。（2023/10/4）

経済産業省がMicronに最大1920億円の助成金を支援　EUV露光を用いた1γ DRAM生産に向け
Micron Technologyは、経済産業省から最大1920億円の助成金の支援を受けると発表した。（2023/10/3）

GDDR7商用化も近づく：
AIやHPC、自動運転によって用途が広がるGDDR
GDDRの「G」は「グラフィックス」の頭文字だが、今日、この高性能メモリのユースケースは“演算性能”に集中している。最近GDDR7 DRAMを発表したSamsung Electronicsは、高性能コンピューティングや人工知能、車載アプリケーションなどの分野でGDDRの採用が進むと予想している。（2023/9/21）

Micronがサンプル出荷を開始：
1.2TB/s、24GBのHBM3 Gen2　LLMの学習を高速化
Micron Technologyは2023年7月、生成AI（人工知能）などの用途に向けて、1.2Tバイト/秒のメモリ帯域幅と、24Gバイトの容量を実現したHBM3 DRAM「HBM3 Gen2」のサンプリング出荷を開始したと発表した。（2023/7/28）

湯之上隆のナノフォーカス（64）：
裏面電源供給がブレークする予感、そしてDRAMも3次元化に加速 〜VLSI2023
2023年6月に開催された「VLSIシンポジウム2023」は大盛況であった。本稿では、筆者が“ブレークの予感”を抱いた裏面電源供給技術と、3D（3次元） NAND／DRAM技術に焦点を当てて、解説する。（2023/7/26）

23年後半からは回復の兆し：
逆風下のDRAM／NAND市場、Yoleが最新市場分析を発表
フランスの市場調査会社Yole Groupは2023年6月27日、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ（以下、NAND）の市場分析を発表した。両市場とも、2023年後半から回復に向かうと予測する。（2023/7/7）

政府が70％を援助：
Micron、27億5000万ドルでインドに後工程新工場
Micron Technologyは2023年6月22日、最大27億5000万米ドルで、インド・グジャラート州にDRAMおよびNAND型フラッシュメモリの組み立て／テスト工場を新設すると発表した。インド中央政府と州政府から総事業費の70％の財政支援を受けるという。（2023/6/28）

構造からSSDを考える【第5回】
SSDを“DRAMなし”にすると利点がある「用途のまとめ」
企業においても、個人利用においても、さまざまな用途にSSDが使われつつある。どのような用途であれば、DRAMを搭載しないSSDのメリットを享受できるのか。用途をまとめる。（2023/6/26）

構造からSSDを考える【第4回】
安さを理由にDRAMがない「SSD」を買う場合の注意点
SSDにDRAMを搭載しないことでコスト削減などのメリットが見込めるものの、デメリットや導入する際の注意点もある。DRAMレスのSSDを使用する上で知っておくべき注意点とは。（2023/6/19）

構造からSSDを考える【第3回】
SSDからDRAMをなくすのが“正解”なこれだけの理由
企業のデータ保管を支えるストレージとして広く使われる「SSD」。その利用を最適にするために考慮すべきポイントが「DRAM」の存在だ。DRAMの有無で何が変わるのか。（2023/6/12）

構造からSSDを考える【第2回】
SSDにDRAMは本当に必要なのか？　“DRAMレス”のすごい利点とは
SSDにDRAMを搭載しないことで幾つかの利点が見込めるものの、データセンターはその活用には消極的だった。ただし以前とは状況が異なる。DRAMをなくす利点を踏まえて考えてみよう。（2023/6/5）

キャリアニュース：
次世代DRAMの製造と半導体人材の育成において広島県と連携
Micron Technologyは、広島県と連携して、次世代DRAMを製造することに加え、強固で高度な技術を持つ半導体人材の育成を目指すことを発表した。広島大学を含む日米の11大学とともに、人材の育成を進めていく。（2023/6/1）

構造からSSDを考える【第1回】
SSDに“メモリ不要”説　「DRAMレスSSD」とは何か？
通常、SSDはDRAMを搭載しており、DRAMはさまざまな役割を担っている。ただしDRAM搭載には利点だけではなく懸念点もある。DRAMをなくすことで何が見込めるのか。（2023/5/30）

EUV装置の導入規模は明らかにせず：
EUV適用1γ DRAM、広島工場では2026年に生産開始
Micron Technologyは2023年5月22日、EUV（極端紫外線）リソグラフィ適用の1γノードDRAMの生産発表に併せて広島工場で記者会見を実施した。（2023/5/23）

2025年に立ち上げ予定：
Micron、EUV適用の1γ DRAMを広島工場で製造へ
Micron Technologyが、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を適用した1γノードのDRAMを、広島工場で製造すると発表した。1γノードの立ち上げは2025年以降を予定している。（2023/5/18）

湯之上隆のナノフォーカス（60）：
Intelとメモリメーカーは生き残れるのか？ 〜驚愕のMPU/メモリ市況
MPU、DRAM、NAND型フラッシュメモリの市況が大変なことになっている。半導体メーカーの統廃合が起きるかもしれない――。そう思わざるを得ないほど事態は深刻だ。（2023/3/29）

2023年以降、広範なDRAM製品に適用予定：
価格低迷の中、1β DRAMの拡充進めるMicron
Micron Technologyは、近年、最先端DRAM技術の発展をリードしてきたメーカーの1社だ。同社の1β（ベータ）ノードのDRAM技術もその流れを維持するものだが、2023年にはDRAM価格の下落が予測される中、他の大手メーカーも、追い上げてきている。（2023/2/17）

日本政府が最大465億円の助成を行うマイクロンメモリ ジャパンの広島工場に行ってみた
米Micron Technologyの日本法人であり、最先端メモリ製品の開発や設計、生産を担うマイクロンメモリ ジャパンの広島工場において、1β DRAMの量産製造開始セレモニーが開催された。（2022/11/21）

1β DRAM量産開始の記念式典で：
Micron広島工場は「日米連携強化の象徴」
Micron Technology（以下、Micron）は2022年11月16日、同社の広島工場（広島県東広島市）で、1βnm世代のDRAMの量産開始を記念した式典を開催した。式典には、Micronの社長兼CEOであるSanjay Mehrotra氏、グローバルオペレーションズ エグゼクティブバイスプレジデントのManish Bhatia氏の他、経済産業省 商務情報政策局長の野原諭氏、広島県知事の湯崎英彦氏、駐日米国大使のラーム・エマニュエル氏らも出席した。（2022/11/18）

22年度Q4比で20％減に：
Micronがメモリ減産へ、設備投資の追加削減も検討
Micron Technology（以下、Micron）は2022年11月16日（米国時間）、昨今の市況に対応し、DRAMとNAND型フラッシュメモリの供給量を削減すると発表した。（2022/11/17）

Micron、1βプロセスノードを採用したLPDDR5Xメモリをサンプル出荷
米Micron Technologyは、最先端DRAMテクノロジーとなる1βプロセスノードを採用したLPDDR5Xメモリ製品のサンプル出荷を開始した。（2022/11/2）

モバイル向けにLPDDR5Xから：
Micronが1βnmノードのDRAMを出荷開始、広島で製造
Micron Technology（以下、Micron）は2022年11月1日（米国時間）、1βnm世代を適用したDRAM（以下、1β DRAM）の量産を開始したと発表した。同社によれば、加工寸法は13nmレベルだという。（2022/11/2）

1βノードのDRAM生産に向け：
日本政府、Micron広島工場に最大465億円助成
Micron Technology（以下、Micron）は2022年9月30日、最先端1β（ベータ）ノードのDRAMの生産に向けた広島工場（広島県東広島市）の増強について、日本政府から最大約465億円の助成金交付を受ける予定だと発表した。（2022/9/30）

NANDとDRAMの市場は需要が鈍化：
Samsungが半導体市場の失速について警鐘を鳴らす
メモリ市場は2000年代初期のように、非常に変動の激しい状態にある。当時はEnronを含むいくつかの企業がDRAMの先物取引市場を形成しようとしていた。世界最大のメモリチップメーカーであるSamsung Electronics（以下、Samsung）は、半導体業界が2022年をハードランディング（急激な失速）で終える可能性があると警告した。（2022/9/12）

1βでは広島が大きな役割を果たす：
3D DRAMからCXLメモリまで、Micronの見解を聞く
2022年8月、米国の半導体支援の法案「CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）」の可決に伴い、400億米ドルを投じて米国での生産活動を拡張すると発表したMicron Technology（以下、Micron）。同年9月1日（米国時間）には、米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画も発表した。EE Times Japanは、Micronのモバイルビジネス部門でシニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるRaj Talluri氏および、Micron本社に取材し、市場動向や新しいメモリ技術に対するMicronの見解について聞いた。（2022/9/7）

IC Insightsアナリストがコメント：
Micronのアイダホ新工場が、米国のDRAM供給を向上させる
Micron Technologyが米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画を発表したことについて、米国の市場調査会社であるIC InsightsのアナリストBrian Matas氏は「半導体製造を米国で行うことは有益だ。CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）は米国の企業が拡張計画を進めるきっかけになった。米国でIC（集積回路）を現地調達できるようになるのは良いことだ」と述べている。（2022/9/6）

高速データ転送×低消費電力が起こすイノベーション：
PR：モバイルメモリの最前線――MicronのLPDDR5X DRAMが切り開く、次世代スマホの可能性
モバイルメモリの進化は常にスマートフォンの進化を支え、新たなアプリケーションの実現をもたらしてきた。Micron Technologyが開発する最新の「LPDDR5X DRAM」では、性能と電力効率がさらに強化され、次世代のモバイル体験へとつながる新しいアプリケーションの登場を支えている。（2022/9/1）

PCMの未来は：
Intelが撤退を公表、3D XPointはどんな遺産を残す？
Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。（2022/8/30）

産業／自動車分野で有望：
ストレージ/メモリカード市場をけん引するリムーバブル性
多くの民生機器は現在、UFS規格や、フラッシュストレージとDRAMの組み合わせが可能になったマルチチップパッケージ（uMCP）によって、十分なストレージ性能を搭載するようになった。しかし、産業／自動車市場で現在台頭しているユースケースを見ると、システム全体を分解する必要なく容量を増やすためには、簡単に取り外し可能なフォームファクターが非常に有効であるということが分かる。（2022/8/23）

より高いパフォーマンスを実現：
DDR5採用の決め手に、RambusのSPDハブ＆温度センサー
最新DRAMの採用は常に、それをサポートするエコシステムによって、製品設計とシステム要件の対応が容易になるかどうかにかかっている。米国のIP（intellectual property）ベンダーであるRambusの「SPD（Serial Presence Detect）」ハブと温度センサーは、DDR5採用の決め手となるかもしれない。（2022/8/12）

Samsung、Micronが生産を減速：
中国のロックダウン、DRAM供給停止を招く恐れも
Samsung Electronics（以下、Samsung）とMicron Technology（以下、Micron）が、中国西安市に保有するメモリチップ工場の生産を減速させている。新型コロナウイルス感染症（COVID-19）感染拡大を受け、人口1200万都市である西安が2021年12月23日、ロックダウン（都市封鎖）に踏み切ったためだ。（2022/1/7）