直径300mmの大口径SiC単結晶基板の開発に成功：材料技術

レゾナックは、炭化ケイ素（SiC）で直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長と基板加工に成功した。同社によると、開発が進むSiC基板としては、世界最大級の口径になるという。

[MONOist]

　レゾナックは2026年9月15日、炭化ケイ素（SiC）で直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。同社の調べでは、開発が進むSiC基板としては、世界最大級の口径になるという。

開発した300mmSiC単結晶基板［クリックで拡大］ 出所：レゾナック

　SiCは、従来のシリコンウエハーに比べて電力変換時の損失や発熱が少なく、省エネルギー化に寄与する特性を持つ。同社は現在、市場で主流の150mm（6インチ）や200mm（8インチ）のSiCエピウエハーを提供している。

　今回開発したSiC単結晶基板は、これまで同社が培ってきたSiC単結晶成長技術や基板加工技術をベースに、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業で得た成果の一部を活用した。同基金内の「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」で、同社は「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」を進めている。

　300mm口径の開発は、SiC基板やSiCエピウエハーの大口径化と高品質化に向けた、重要な技術的マイルストーンとなる。今後も高性能かつ高信頼性なSiC材料を提供し、パワーエレクトロニクス市場の進化に貢献するとしている。

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