中国パワー半導体市場規模は2035年に3兆2742億円へ、SiCとGaNは5倍増に：組み込み開発ニュース

富士経済は、中国のパワー半導体市場に関する調査結果を発表した。2035年の同市場規模について、自動車や民生機器、エネルギー分野での需要拡大が成長をけん引し、2025年比1.9倍の3兆2742億円に拡大すると予測する。

[MONOist]

　富士経済は2026年8月4日、中国のパワー半導体市場に関する調査結果を発表した。

　同社は、2035年の同市場規模について、自動車や民生機器、エネルギー分野での需要拡大が成長をけん引し、2025年比1.9倍の3兆2742億円に拡大すると見込む。

　また、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体の2035年の市場規模を、2025年比4.9倍の9702億円と予測する。SiCパワー半導体はEV（電気自動車）やPHEV（プラグインハイブリッド車）の他、太陽光発電用インバーター向けなどで採用が進む。大衆車への搭載や新規参入が続いていることから、価格競争は激化傾向にある。

中国のSiCパワー半導体市場［クリックで拡大］ 出所：富士経済

　GaNパワー半導体については、2026年見込みの356億円から2035年には1489億円（2025年比5.0倍）へ拡大すると予測。現在はPD充電器など民生機器が中心だが、今後はEV用オンボードチャージャーやLiDAR（Light Detection and Ranging、ライダー）、サーバラック電源などへの展開が進み、市場拡大が見込まれる。縦型GaNパワー半導体の実用化に向けた開発は、SiCとの価格差や適用領域を見極める段階にある。

　パワー半導体全体について見ると、中国政府による国産部品推奨政策もあり、白物家電や産業用低圧インバーターなどの汎用製品用途で日本や欧米メーカー製品からの置き換えが進む。今後もアプリケーション市場の拡大とともに、需要は順調に増加していくと予想される。

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