ニュース
高温時のオン抵抗を3割削減、ロームの「第5世代SiC MOSFET」：組み込み開発ニュース
ロームは、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発した。ジャンクション温度175℃でのオン抵抗を同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30％低減しており、車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。
ロームは2026年4月21日、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発したと発表した。
同製品は、開発に当たって素子構造の刷新と製造プロセスの最適化を実施した。これにより、実使用で重要となる高温動作時（Tj=175℃）のオン抵抗を、同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30％低減している。
主な用途として、EV（電気自動車）のトラクションインバーターや車載充電器、DC-DCコンバーター、AI（人工知能）サーバやデータセンターの電源、電力貯蔵システム、無停電電源装置などを想定。このような車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。
同社は、需要が急増するパワー半導体市場に向けて、第5世代SiC MOSFETの耐圧品や各種パッケージのラインアップを拡充していく。2026年7月からは同MOSFET搭載のディクリート品やモジュールのサンプル提供を開始する。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
ローム東芝三菱電機の半導体事業統合、シナジー創出では「工場再編」が議題に
ローム、東芝、日本産業パートナーズ、TBJホールディングス、三菱電機は、ロームと東芝デバイス＆ストレージ（TDSC）の半導体事業、三菱電機のパワーデバイス事業の事業／経営統合に関する協議開始に向けた基本合意書を締結したと発表した。
パワーデバイスの損失や温度上昇を数秒で検証できる高速シミュレーターを公開
ロームは、パワーデバイスの動作をWeb上で高速にシミュレーションできる「ROHM PLECS Simulator」を公開した。回路設計の初期段階において、最適なデバイス選定にかかる工数を大幅に削減する。
ロームとインフィニオンがSiCパッケージを共通化、調達の柔軟性を拡大へ
ロームとInfineon Technologies（インフィニオン）は、SiCパワーデバイスのパッケージを共通化する協業を開始した。両社から互換製品を調達できるようになり、設計や調達の利便性が高まる。
第4世代SiC MOSFETが中国向け新型BEVのトラクションインバーターに採用
ロームの第4世代SiC MOSFETベアチップを搭載したパワーモジュールが、トヨタ自動車の中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」のトラクションインバーターに採用された。
日立AstemoがEV用インバーターにローム製SiC-MOSFETを採用、2025年に供給開始
ロームは、同社の第4世代SiC-MOSFETとゲートドライバICが、日立AstemoのEV（電気自動車）用インバーターに採用されたと発表。このインバーターは、国内自動車メーカーを皮切りに2025年から国内外向けに順次供給される予定である。
電力損失を半減したトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種を開発
三菱電機は、EVや再生可能エネルギー用電源システム向けのトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始した。独自構造により、従来のプレーナー型と比べて電力損失を約50％低減し、低消費電力化に貢献する。