上面放熱構造により高放熱と高耐圧を両立したSiC-MOSFETの新パッケージ：組み込み開発ニュース

ロームは、放熱面を上面に配置したSiC-MOSFET向けの新パッケージ「TSC3PAK」を開発した。自動実装が可能な面実装品でありながら、従来の挿入型と同等の高い放熱性能を提供する。

[MONOist]

　ロームは2026年7月9日、放熱面をパッケージ上面に配置した、SiC-MOSFET向けの新パッケージ「TSC3PAK」を開発した。同年6月から量産を開始しており、サンプルの単価は5500円だ（税別）。

上面放熱構造の新パッケージ「TSC3PAK」［クリックで拡大］ 出所：ローム

　TSC3PAKのサイズは14.00×18.58×3.50mm。市場で広く普及しているパッケージとの互換性を維持しつつ、実装コストの削減に寄与する。また、自動実装が可能な面実装品でありながら、上面放熱構造により、従来の挿入型パッケージと同等レベルの放熱性能を有する。電動車のオンボードチャージャーや産業機器などの電力変換回路の高効率化に貢献する。

　また、同パッケージは独自の溝構造により、6.66mmの沿面距離を確保した。これにより、家庭やオフィスなど一般的な環境下（汚染度2）において1200Vの交流ピーク電圧に対応。高耐圧アプリケーションにおける安全な絶縁設計を可能とし、実装コストの削減と信頼性向上につながる。

　さらに、同社が展開する第4世代のSiC-MOSFETを搭載。低オン抵抗と高速スイッチング特性により、電力変換時のスイッチング損失を低減する。

　電動車においては、航続距離の伸長や充電時間の短縮に向けて、メインインバーターだけでなくオンボードチャージャーや電動コンプレッサーといった電力変換回路にもSiCデバイスを採用するケースが増えている。また、高性能サーバの電源や太陽光発電向けインバーターなど、高効率動作が求められる産業機器でもSiCデバイスの導入が進む。

　従来のSiCデバイスは高出力時の放熱性に優れる挿入型パッケージが一般的だったが、手作業による実装や低背化しにくい点が課題だった。TSC3PAKはこれらの課題に対応し、挿入型パッケージと同等の放熱性能を備えつつ、自動での面実装が可能なパッケージとなっている。

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