次世代半導体製造工程向け、6μmの極微細レーザー穴あけ加工技術を開発：FAニュース

三菱電機ら4法人は、次世代半導体製造工程向けの極微細レーザー穴あけ加工技術を開発した。パッケージ基板へ6μm以下の穴あけ加工が可能になり、次世代半導体のさらなる微細化への貢献が期待できる。

[MONOist]

　三菱電機は2022年10月24日、次世代半導体製造工程向けの極微細レーザー穴あけ加工技術を開発したと発表した。東京大学が運用している「TACMIコンソーシアム」において、三菱電機、味の素ファインテクノ、スペクトロニクスが連携した成果だ。

　次世代の半導体製造工程では、パッケージ基板に径10μm以下の穴あけ加工が必要になるが、実際の製造に耐える技術開発が課題となっていた。今回の成果では、6μm以下のレーザー穴あけ加工技術を開発し、高い品質と生産性を維持できることを実証した。

　パッケージ基板のビルドアップ工法には、味の素ファインテクノが製造するABF（味の素ビルドアップフィルム）が広く使われている。このABFに対し、スペクトロニクスが開発した波長266nm、パルス幅ピコ秒の深紫外短パルスレーザーを、三菱電機が次世代レーザープロセス用開発機に組み込み、東京大学のレーザー加工プロセスのCPS（サイバーフィジカルシステム）化技術を活用して、6μm以下の穴をあけることに成功した。

4法人の技術を集結して開発［クリックで拡大］ 出所：三菱電機

6μm以下の穴あけに成功（青丸は40μm穴に相当するサイズ） 出所：三菱電機

　開発した技術では、6μm以下の微細穴を1秒に数千個あけることができ、高品位加工用のパラメーターにより、6μmの直径でのテーパー度（上面の穴径と下面の穴径の比）が品質基準値の75％を満たすなど、次世代半導体製造パッケージ基板への要求に十分に応えられる。

　同技術は、微細化する半導体、複雑化するチップレット技術への適用をはじめ、消費電力の削減やポスト5G、EV（電気自動車）対応などへの貢献が期待される。4法人は、次世代半導体産業における日本の競争力強化を目指し、今後も連携を続け、半導体パッケージ基板のさらなる微細化や高品位化を進めていく。

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