EV向けに開発と適用範囲を拡大、SiCパワー半導体増産に向け設備投資を決定：工場ニュース

富士電機は、富士電機津軽セミコンダクタに、SiCパワー半導体増産のための設備投資をすると決定した。市場の拡大が見込まれる電気自動車向けにも開発、適用範囲を広げ、脱炭素社会の実現に貢献していく。

[MONOist]

　富士電機は2022年1月27日、パワー半導体の生産拠点の1つである富士電機津軽セミコンダクタに、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体増産のための設備投資決定の発表をした。2024年度に量産を開始する計画で、5カ年中期経営計画（2019〜2023年度）におけるパワー半導体への設備投資額は、1900億円に拡大する見込みだ。

　現在はSi素材を使ったパワー半導体が主流だが、搭載機器の省エネ、小型、軽量化を促進する次世代のパワー半導体として期待されるのが、SiC素材を使ったSiCパワー半導体だ。

　同社が対象とする2024年度のパワー半導体市場を2兆円と見積もり、そのうちSiCパワー半導体が約8％を占め、2021〜2024年度のSiCパワー半導体の市場成長率は17％以上になると予測する。

　同社はこれまで、鉄道車両向けのインバーターや、太陽光発電所の電力変換に使われるパワーコンディショナー向けなどにSiCパワー半導体を開発、適用してきた。今後は、市場の拡大が見込まれる電気自動車（EV）向けにも開発、適用範囲を広げていく予定だ。