T型回路構造を採用したMOS FETリレーモジュール、メンテナンス頻度削減を実現：FAニュース

オムロンは、T型回路構造を採用したMOS FETリレーモジュール「G3VM-21MT」を発売した。漏れ電流を1pA以下と極小化し、高精度での測定と試験装置のメンテナンス頻度の低減を両立した。

[MONOist]

　オムロンは2019年12月2日、T型回路構造を採用したMOS FETリレーモジュール「G3VM-21MT」を発売した。主に、半導体の電気的な試験を行う試験装置において、計測信号の切り替えを実施する。

　G3VM-21MTは、無接点で信号を出力する小型で長寿命なMOS FETリレーと、3つのMOS FETリレーで構成されるT型回路構造を採用。これにより、漏れ電流を1pA以下と極小化し、高精度での測定と試験装置のメンテナンス頻度の低減を両立した。

　出力回路は、半導体のMOS FETリレーで構成されており、物理接点がない。回路の切り替えによるアーク放電がないため、接点の摩耗などによるメンテナンスが不要だ。

　外形サイズは5×3.75×2.7mm。入出力回路の複雑な配線をモジュール内部に盛り込み、アプリケーションの基板上の配線を簡素化した。主な用途として、ICパッケージテストシステム、半導体ウェハテストシステム、インサーキットテスターなどを想定している。

MOS FETリレーモジュール「G3VM-21MT」（クリックで拡大） 出典：オムロン

主な用途（クリックで拡大） 出典：オムロン

漏れ電流1pA以下により高信頼性を提供（クリックで拡大） 出典：オムロン

無接点の出力による長寿命とメンテナンス頻度を大きく低減（クリックで拡大） 出典：オムロン