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半導体新製造棟の建設に備え、四日市工場の敷地を拡張:工場ニュース
東芝は、需要拡大が見込まれる3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」新製造棟の建設に備え、四日市工場の隣接地取得を決定した。取得面積は約15万平方メートル、取得費用は約30億円となる予定だ。
東芝は2016年2月2日、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」製造棟の建設に備え、四日市工場(三重県四日市市)の隣接地取得を決定したと発表した。
フラッシュメモリは、スマートフォンなどで多く使われており、今後も需要拡大が見込まれる。将来のさらなる需要拡大に対応するため、新たに3次元専用工程の製造棟を建設する必要があるが、既存敷地内には新規に建屋を建設するスペースが確保できず、今回工場隣接地を取得することが決定した。これにより、2次元NAND型フラッシュメモリから3次元フラッシュメモリBiCS FLASHへの切り替えが必要になった際も、建屋を速やかに建設できる。
四日市工場の東側と北側の土地が取得対象となり、取得面積は約15万m2、取得費用は約30億円を予定している。2016年度末には造成を完了する見込みだ。
なお、新しい製造棟の建設時期、生産能力、生産設備への投資などについては、2016年度中に決定する予定だという。
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