「32nmプロセス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

湯之上隆のナノフォーカス（75）：
Intelはどこで間違えた？ 〜2つのミスジャッジと不調の根本原因
Intelの業績が低迷している。業績以外でも、人員削減や「Raptor Lake」のクラッシュ問題など、さまざまな問題が露呈していて、Intelが厳しい状況に追い込まれていることが分かる。Intelはなぜ、このような状況に陥っているのか。そこには2つのミスジャッジと、そもそも根本的な原因があると筆者はみている。（2024/8/29）

次世代半導体の量産に向け：
トッパンフォトマスクとIBM、2nm向けEUVフォトマスクを共同開発へ
トッパンフォトマスクとIBMは、IBMの2nmロジック半導体プロセスノードに対応する「EUVフォトマスク」を共同開発する。契約期間は2024年2月より5年間。両社はアルバニー・ナノテク・コンプレックスの研究所（米国ニューヨーク州）と、トッパンフォトマスクの朝霞工場（埼玉県新座市）で研究開発を行う。（2024/2/8）

湯之上隆のナノフォーカス（68）：
imecも全幅の信頼、Rapidusの「成功の定義」とは何か
imecや経済産業省など、Rapidusの支援を公言する組織／企業は多い。さらに、米TenstorrentやフランスLetiなど、Rapidusとパートナーシップを締結する企業や機関も増えている。それはなぜなのか。2023年11月に開催された「ITF（imec Technology Forum） Japan」で見えてきたその理由と、Rapidusにとっての「成功の定義」をあらためて考えてみたい。（2023/12/21）

磁気相転移によって制御可能：
Fe／FeRh界面で強い垂直磁気異方性の発現を発見
名古屋大学は、鉄ロジウム（FeRh）と強磁性体の界面で、磁気交換結合に基づく強い垂直磁気異方性が発現することを発見した。室温付近におけるFeRhの反強磁性−強磁性相転移によって、垂直磁気異方性を制御できることも実証した。（2023/7/3）

米国EE Timesが独占インタビュー：
枚葉式で2度目のチャンスをつかむ、Rapidus小池氏
米国EE Timesは、imecの年次イベントにてRapidus社長の小池淳義氏に単独インタビューを行った。Rapidusは、「枚葉式の処理」により超短TATで製品を顧客に提供することを狙う。これは、小池氏にとっては“2度目のチャンス”になる。さらに、Rapidusの成功をアナリストがどう見ているかも、紹介する。（2023/6/27）

市場は右肩上がり：
EVシフトでパワー半導体に熱視線　“売上1兆円超”レゾナックCSOに聞く展望
売上高1兆円を超えるレゾナック・ホールディングス。半導体・電子材料をコア成長事業とする経営方針を打ち出し、経営資源を集中的に投資し、半導体・電子材料の比率を売上高の約45％まで引き上げる計画を発表している。（2023/6/1）

子犬たちの警察犬訓練が「こんなにかわいいの!?」　尻尾をフリフリ歩く姿にキュンっとなる【米】
見ているだけで幸せになれる動画。（2023/4/7）

FAニュース：
AGVやAMR向けブラシレスモーターユニット、減速比20の遊星減速機構を採用
マブチモーターは、移動体向けブラシレスモーターユニット「MS-94BZD」「MS-94BZE」「MS-94BZF」の販売を開始した。高トルクに適した減速比20の遊星減速機構を採用するなど、AGVやAMRなどに適した仕様になっている。（2023/3/3）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
決算から見えてきた半導体需給の状況
エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は10月に各社から発表された第3四半期の決算発表から見えてきた、半導体需給の状況をプロセスノード別に紹介する。（2022/11/22）

湯之上隆のナノフォーカス（56）：
リーマン・ショック級のメモリ不況の到来 〜その陰にIntelの不調アリ
半導体市場の不調が明らかになっている。本稿では、世界半導体市場統計（WSTS）のデータ分析を基に、今回の不況がリーマン・ショック級（もしくはそれを超えるレベル）であることと、その要因の一つとしてIntelの不調が挙げられることを論じる。（2022/11/21）

湯之上隆のナノフォーカス（55）：
半導体の微細化は2035年まで続く 〜先端ロジックのトランジスタと配線の行方
2022年6月に開催された「VLSIシンポジウム」の講演のうち、最先端ロジック半導体に焦点を当てて解説する。ASMLが2023年から本格的に開発を始める次世代EUV（極端紫外線）露光装置「High NA」が実用化されれば、半導体の微細化は2035年まで続くと見られる。（2022/10/28）

“PC”あるいは“Personal Computer”と呼ばれるもの、その変遷を辿る：
チップセットの誕生と隆盛、そして消滅へ
PCの源流から辿っていく連載の第21回は、チップセットが生まれ、消滅に至る流れを解説する。（2022/7/15）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
Intelの復活プラン
エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、Intelが2022年2月17日に開催したFinancial Analyst向けのInvestor Meetingにフォーカスする。（2022/3/10）

福田昭のデバイス通信（320） imecが語る3nm以降のCMOS技術（23）：
高アスペクト比、バリアレス、エアギャップが2nm以降の配線要素技術
今回は、銅配線からルテニウム配線への移行と微細化ロードマップについて紹介する。（2021/9/9）

湯之上隆のナノフォーカス（41）：
「ムーアの法則」は終わらない 〜そこに“人間の欲望”がある限り
「半導体の微細化はもう限界ではないか？」と言われ始めて久しい。だが、相変わらず微細化は続いており、専門家たちの予測を超えて、加速している気配すらある。筆者は「ムーアの法則」も微細化も終わらないと考えている。なぜか――。それは、“人間の欲望”が、ムーアの法則を推し進める原動力となっているからだ。【修正あり】（2021/8/27）

モノづくり最前線レポート：
インテルが半導体プロセスノードを再定義、2024年にはオングストローム世代へ
インテル日本法人が、米国本社が2021年7月26日（現地時間）にオンライン配信したWebキャスト「Intel Accelerated」で発表した先端半導体製造プロセスやパッケージング技術について説明した。（2021/7/30）

湯之上隆のナノフォーカス（40）：
Intelの逆襲なるか、ゲルシンガーCEOが描く「逆転のシナリオ」
Pat Gelsinger氏は、Intelの新CEOに就任して以来、次々と手を打っている。本稿では、Gelsinger CEOが就任後のわずか5カ月で、打つべき手を全て打ったこと、後はそれを実行するのみであることを示す。ただし、その前には、GF買収による中国の司法当局の認可が大きな壁になることを指摘する。（2021/7/28）

EE Exclusive：
スマホ搭載デバイス分析 〜完全分離されたAppleとHuaweiのエコシステム
米中間の貿易戦争が悪化の一途をたどる中、この2大経済大国の関係が破綻する可能性を示す、「デカップリング（Decoupling、分断）」というバズワードが登場している。しかし目の前の問題として、「本当に分断は進んでいるのだろうか」「マクロ経済レベルではなく、世界エレクトロニクス市場のサプライチェーンレベルの方が深刻な状況なのではないだろうか」という疑問が湧く。（2021/6/30）

大山聡の業界スコープ（42）：
今こそ、日本の大手電機各社は半導体技術の重要性に気付くべき
日本政府や与党・自民党は、半導体産業を重要視し、さまざまな動きを見せ始めている。今回は、この辺りの動きについて、少し整理してみたいと思う。（2021/6/15）

福田昭のストレージ通信（200） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（25）：
埋め込みDRAMが大容量キャッシュの製造コスト低減に貢献
今回はDRAMをロジックLSIに埋め込む技術「eDRAM」の製品化事例を解説する。（2021/5/21）

Apple Siliconがやってくる：
Apple独自アーキテクチャの変遷　A6から最新A14まで
Apple Silicon連載、ついに最新プロセッサ「A14」に追いつく。（2020/9/24）

米中摩擦でチャンスをつかむ？：
「TSMCに追い付くには10年」、SMICの今
SMICは、14nmチップの生産を開始し、FinFETを製造できる半導体メーカー／ファウンドリーの“仲間入り”を果たした。同社は間もなく、事業への投資を継続するため、70億米ドル超を得られる株式公開を行う予定である。だが、トランプ政権によって、SMICは最新の製造機器の一部を利用できなくなっている。そうした状況の中、同社はSoC（System on Chip）のトップメーカーが求めるような最先端のプロセス技術を長期的に提供し続けられるのだろうか？（2020/7/28）

湯之上隆のナノフォーカス（26）：
3D NANDの最新動向、覇権争いの鍵となる技術は？ バーチャル開催の「IMW2020」から
半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ（IMW）2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。（2020/6/3）

性能向上でNORフラッシュからの移行進む：
PR：人工知能を実装する組み込みシステムにシリアルNANDフラッシュを採用すべき理由
この記事では、人工知能（AI）を組み込みシステムに実装する開発者がブートコードおよびアプリケーションコード格納用に、シリアルNORフラッシュからシリアルNANDフラッシュに移行することの利点に目を向け、NANDフラッシュの信頼性や寿命、パフォーマンスについて改めて検討すべき理由を説明します。（2020/4/15）

湯之上隆のナノフォーカス（7）：
Intel 10nmプロセスの遅れが引き起こしたメモリ不況
2018年、メモリ市場の成長に暗雲が立ち込め、メモリ不況が避けられない事態となった。アナリストらは、メモリの過剰供給による価格の下落を要因として指摘しているが、どうも腑に落ちない。そこで筆者は、Intelの10nmプロセスの遅れという点から、メモリ不況の要因を探ることにした。（2018/12/7）

IoT観測所（50）：
IoTから脱落した巨人インテルの蹉跌、かくもIoTビジネスは難しい
IoTの団体や規格／標準についての解説をお届けしてきた本連載も最終回。最後は、団体ではなくインテルという特定の企業のこの数年の動向を紹介しながら、IoTというビジネスを総括してみたい。（2018/10/30）

本格オフロード：
ホンダ、モトクロスマシンの公道モデル「CRF450L」発売
ホンダは二輪の本格オフロードモデル「CRF450L」を9月20日に発売する。（2018/8/23）

福田昭のデバイス通信（122） 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー（6）：
IEDM 2017の講演2日目（12月5日）午後（その2）：次世代トランジスタを狙う負性容量FET技術
12月5日午後の注目講演を紹介する。負性容量トランジスタ、シリコンフォトニクス、非シリコン材料による高耐圧パワーデバイスなどの研究成果が発表される。（2017/11/24）

TSMCも工場を建設：
中国でファウンドリー事業が加速
TSMCなど大手専業ファウンドリーが、中国に製造工場を建設し始めている。中国のファウンドリーの売上高成長率は、世界のファウンドリーの売上高成長率に比べて2倍以上になる見込みだ。（2017/10/26）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
中華MIPS「龍芯」のアーキテクチャから推理する、MIPS買収の「理由」
Imaginationは分割して売却されることになり、MIPS事業は中国系資本の投資会社に買収されることとなった。中国と言えばMIPSのCPU「龍芯」を既に所有しているが、なぜMIPSを買うのだろうか。アーキテクチャから推理する、MIPS買収の「理由」とは何か。（2017/10/16）

TDK CFA9D/SDA9Dシリーズ：
産業用CFカードとPATA SSD、電源バックアップを内蔵
TDKは産業用SSDとして、CF（Compact Flash）カードの「CFA9Dシリーズ」と、PATA（Parallel ATA）対応2.5インチSSDの「SDA9Dシリーズ」を発表した。前世代品を発表してから約7年ぶりにリニューアルした。（2017/7/4）

技術開発の指針の役割は終えた？：
ムーアの法則、半導体業界はどう捉えるべきか（前編）
台湾Etron TechnologyのCEOであるNicky Lu氏は、「ムーアの法則」は、技術開発の方針としての役目を既に終え、ビジネス的な意味合いの方が強くなっていると述べる。半導体メーカーが今、ムーアの法則について認識すべきこととは何なのか。（2017/5/12）

TDK CFA9D/SDA9Dシリーズ：
産業用CFカードとPATA SSD、電源バックアップを内蔵
TDKは、産業用SSDとして、CF（Compact Flash）カードの「CFA9Dシリーズ」と、PATA（Parallel ATA）対応2.5インチSSDの「SDA9Dシリーズ」を発表した。前世代品を発表してから約7年ぶりにリニューアルした。（2017/4/28）

長く曲がりくねった道のり：
EUVリソグラフィ開発、進展するも課題は山積み
米国で半導体リソグラフィ技術の国際会議「SPIE Advanced Lithography 2017」が開催中だ。IntelやSamsung Electronics、imecなどが発表した論文からは、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術が、大きく進展しつつも課題はまだ山積みであり、より一層開発を加速する必要のある部分もあることが明らかになっている。（2017/3/2）

専門家が見解を披露：
ISS 2017で語られた半導体技術の今後（前編）
米国で開催された「Industry Strategy Symposium（ISS）」（2017年1月8〜11日）では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA（Gate All Around）トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。（2017/1/19）

3DやInFOで微細化を補う：
ムーアの法則の“新たな意味”とは
台湾半導体産業協会の専門家は、今後ムーアの法則は、「半導体の集積率の向上」というよりも、より実質的な意味を持つようになると指摘する。3次元構造やTSMCの「InFO」のようなパッケージング技術によって性能の向上を図っていくというものである。（2016/11/14）

福田昭のデバイス通信（93）：
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。（2016/10/14）

福田昭のデバイス通信（90）：
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（imec編）
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。（2016/9/27）

ギガビット未満の混載MRAMもサポート：
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES（GF）が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM（磁気抵抗メモリ）をサポートする予定だ。（2016/9/21）

福田昭のデバイス通信（88）：
「SEMICON West　2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（ASML編）
「SEMICON West 2016」で行われた次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムから、各露光装置メーカーの講演内容を紹介してきた。今回は、半導体露光装置最大手であるASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィ開発状況を中心に紹介する。（2016/9/14）

福田昭のデバイス通信（85）：
「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る（完結編その2）
KrFスキャナーの次に登場したのがArFスキャナーである。ArFスキャナーは90nm世代の量産から使われ始めた。さらに、ArFスキャナーの製品化と並行して「ポストArF」の開発が活発化する。ポストArFとして、F2エキシマレーザーあるいは軟X線を光源とする露光技術の開発が進んだが、そこに、もう1つの候補として急浮上したのがArF「液浸」スキャナーである。（2016/8/30）

この10年で起こったこと、次の10年で起こること（7）：
Intelモバイル撤退の真相――“ARMに敗北”よりも“異端児SoFIA”に原因か
今回は、2016年5月に明らかになったIntelのモバイル事業からの撤退の真相を、プロセッサ「Atom」の歴史を振り返りつつ探っていく。「Intelは、ARMやQualcommに敗れた」との見方が強いが、チップをよく観察すると、もう1つの撤退理由が浮かび上がってきた。（2016/7/28）

単3電池1本で動作：
1000コア搭載のプロセッサ、米大学が披露
米国カリフォルニア大学デービス校工学部の学生たちが、6億2100万個のトランジスタを集積した1000コアのプロセッサを設計した。（2016/6/28）

この10年で起こったこと、次の10年で起こること（4）：
「ムーアの法則」を超えた進化
Intelをはじめとした半導体メーカーは「ムーアの法則」に従うように、ほぼ2年に1度のペースで新たな微細プロセステクノロジーを導入し進化を続けてきた。しかし、近年は少しその様子が変わりつつある。特に台頭著しい新興メーカーは、独自のペースで進化を遂げてきている。（2016/4/26）

製造プロセスの進化もまとめてみた：
「A9」に秘められたAppleの狙い（後編）
後編では、Appleの最新プロセッサ「A9」の詳細をもう少し見ていく。特に、Aシリーズに適用されている製造プロセスの進化には、目を見張るものがある。（2015/11/25）

SEMICON West 2015リポート(9)：
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（2）〜解像度と位置合わせ、生産性
今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性（スループット）だ。重ね合わせ誤差は半分〜3分の1に低減し、スループットは2倍〜3倍に向上しているという。（2015/9/8）

SEMICON West 2015リポート(3)：
ニコンが展望する10nm以下のリソグラフィ技術（後編）
今回は、10nm世代にArF液浸露光技術を適用する場合の2つ目の課題である「製造コストの急増」に焦点を当てる。ArF液浸露光技術とEUV（極端紫外線）露光のコストを比較すると、どんな結果になるのだろうか。（2015/8/13）

『EE Times Japan 10周年』特別編集：
EE Times Japanは、創刊10周年を迎えました
2015年6月、EE Times Japanは、読者の皆さまに支えられて、創刊10周年を迎えることができました。紙媒体から出発し、オンラインニュースサイトとして落ち着くまでに紆余曲折はありましたが、次の10年に向けて、日本のエレクトロニクス業界の発展に少しでも貢献すべく、まい進していきたいと思います。（2015/6/24）

福田昭のデバイス通信（26）：
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（15）〜オンチップSRAMのスケーリング問題
今回は、SRAMの微細化について触れる。16/14nm世代までは微細化が順調に進んできたが、数多くの課題が存在する。周辺回路を縮小しにくいことが、その1つとして挙げられる。（2015/5/29）

SEMICON Japan 2014：
日立ハイテク、先端のシリコンエッチング装置などをアピール
日立ハイテクノロジーズは、「SEMICON Japan 2014」（2014年12月3〜5日）で、シリコン用エッチング装置などの製造プロセスソリューションや高分解能FEB測長装置をはじめとした計測・検査ソリューションなどを披露した。（2014/12/12）