極低温絶縁膜エッチング技術の第3世代を開発、メモリホールの垂直性を1.6倍に クロム窒化物が相変化により大きな電気抵抗変化を示すことを発見 2024年第2四半期の世界シリコンウエハー出荷面積は前期比7.1%増 シリコンテクノロジーが磁気光学材料分野へ事業参入、YIG単結晶の生産技術確立 シリコンエッチングプロセスの触媒として使用できるGNRの製造法を開発 第一原理計算とAI技術を融合、半導体材料のシミュレーションを10万倍以上の速度に