ウエハーの凹凸を5nm以下に抑制、キヤノンが平たん化技術を実用化：FAニュース

キヤノンは、NIL技術を応用してウエハーを平たん化するIAP技術を実用化した。インクジェット方式で樹脂を最適配置することで、ウエハー表面の凹凸を5nm以下に抑制できる。

[MONOist]

　キヤノンは2026年1月13日、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を応用してウエハーを平たん化する「Inkjet-based Adaptive Planarization（IAP）」技術を開発し、世界で初めて実用化したと発表した。ロジックやメモリなどの先端半導体製造現場での活用に向け、2027年中に同技術を用いた装置の製品化を進める。

　今回実用化したIAP技術は、ウエハー表面の凹凸分布に応じてインクジェット方式で平たん化材料（樹脂）を最適に配置し、その上から平たんなガラス板を押し当てる手法を採用している。これにより、凹凸の粗密に関わらず、直径300mmのウエハー全面を一括で高精度に平たん化できる。表面の凹凸を5nm以下に抑えることが可能で、後続工程で求められる均一な層構造を可能にする。

IAP技術による平たん化工程［クリックで拡大］ 出所：キヤノン

既存の平たん化技術との比較［クリックで拡大］ 出所：キヤノン

　同社は2023年にNIL技術を用いた半導体製造装置を発売しているが、同技術はその知見を平たん化用途に展開したものだ。2026年2月25日に米San Jose Convention Centerで開催される「SPIE Advanced Lithography and Patterning Conference」にて、同技術の詳細と実用化結果を発表する予定だ。

　半導体製造では、積層工程で生じるウエハー表面の凹凸を整える平たん化工程が不可欠だ。微細化や3D化が進む先端デバイスでは、わずかな凹凸が回路の最小寸法（CD）誤差や位置ずれを招き、歩留まりに悪影響を及ぼす。従来はスピンコート技術やCMP（Chemical Mechanical Polishing）技術が主流だったが、工程の複雑化やコスト増が課題となっていた。

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