18nmプロセス技術と相変化メモリを備えた高性能マイコンを発表:組み込み開発ニュース
STMicroelectronicsは、相変化メモリを内蔵し、18nm FD-SOI技術を採用した高性能マイコン「STM32V8」を発表した。工場自動化、モーター制御、ロボットなどセキュリティ要求の高い機器にも幅広く対応できる。
STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は2025年11月18日(現地時間)、次世代18nm FD-SOI技術と相変化メモリ(PCM)を内蔵した高性能マイクロコントローラー(マイコン)「STM32V8」を発表した。2026年1〜3月期から主要顧客向けに順次提供を開始し、その後一般提供に移行する予定だ。開発環境としてSTM32Cubeソフトウェアや各種評価ボードを利用できる。
STM32V8は、Arm Cortex-M85コアを搭載し、最大動作周波数は800MHz。高速かつ大容量の内蔵メモリにより、産業アプリケーション向けマイコンとして、工場自動化、モーター制御、ロボットなどセキュリティ要求の高いIoT(モノのインターネット)機器にも幅広く対応できる。FD-SOI技術とPCMにより、耐放射線性を含む堅牢性と信頼性を確保しており、過酷な環境下でも安定した動作が可能だ。
PCMのセルサイズは最小クラスで、4MBの不揮発性メモリを内蔵する。FD-SOI技術により最大140℃の接合部温度に対応し、高い電力効率と堅牢性を両立する。暗号化アルゴリズムやライフサイクル管理を含むセキュリティ機能を備え、今後適用されるサイバーレジリエンス法にも対応可能な設計となっている。
インタフェースは1Gビット/秒のイーサネット、FD-CAN、Octo、Hexa xSPI、I2C、UART、USART、USBに加え、アナログペリフェラルなどのIPを搭載。ベアメタルおよびRTOSベースの開発にも対応する。
同製品は、SpaceXのStarlink衛星ネットワークで使用される小型レーザーシステムにも採用された。地球低軌道における高放射線環境で高速通信を支える用途に利用されており、高い演算能力と大容量内蔵メモリがリアルタイム処理を支えている。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
次世代組み込みプロセッサ向け18nmプロセス技術、FD-SOIと相変化メモリがベース
STマイクロエレクトロニクスは、18nm FD-SOI技術と組み込み相変化メモリをベースにしたプロセス技術を発表した。現行品と比較して電力効率が50%以上向上し、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍になっている。
組み込み型相変化メモリ内蔵の車載マイコン、サンプル出荷を開始
STマイクロエレクトロニクスは、組み込み型相変化メモリ「ePCM」を内蔵した車載マイコンのサンプル出荷を開始した。AEC-Q100 Grade 0準拠のePCMを組み込んだ同マイコンは、高温下でもデータの安全性を確保する。
大容量のMRAMを搭載したエッジAIチップ、エネルギー効率50倍で起動時間30分の1
東北大学とアイシンは、MRAMを搭載したエッジ領域向け「CMOS/スピントロニクス融合AI半導体」を開発した。効果実証では、エネルギー効率が従来比で50倍以上改善し、起動時間は30分の1以下となった。
ルネサスが“マイコンでAI”を極める、22nmプロセスとMRAMにAIアクセラレータも
ルネサス エレクトロニクスが同社のArmコア搭載マイコン「RAファミリ」の第2世代品となる「RA8P1」について説明。TSMCの22nm ULLプロセス、MRAM、ArmのAIアクセラレータIP「Ethos-U55」を採用しており同社Armマイコンのフラグシップに位置付けられる。
エッジでAIモデルのリアルタイム学習が可能に、TDKのスピンメモリスタ
TDKは、「CEATEC 2024」において、人の脳を模倣したニューロモルフィックデバイスを構成するメモリスタを独自のスピントロニクス技術で実現した「スピンメモリスタ」を披露した。
クロム窒化物が相変化により大きな電気抵抗変化を示すことを発見
東北大学と慶應義塾大学は、クロム窒化物がアモルファス相を介さない相変化により、大きな電気抵抗変化を示すことを発見した。高速ジュール加熱を施し、透過電子顕微鏡により相変化メカニズムの解明を試みた。
