先進的なチップ配線技術を開発、コンピューティングのエネルギー効率向上：研究開発の最前線

アプライド マテリアルズは、銅配線を2nmロジックノード以降へ微細化してコンピューティングシステムのエネルギー効率を高める、新たなチップ配線技術を発表した。微細化に加え、新たなLow-k絶縁材料でキャパシタンスの低減と材料強度を両立した。

[MONOist]

　アプライド マテリアルズは2024年7月9日、銅配線を2nmロジックノード以降へ微細化してコンピューティングシステムのエネルギー効率を高める、新たなチップ配線技術を発表した。銅配線の微細化に加え、新たなLow-k（低誘電率）絶縁材料により、キャパシタンスの低減と材料強度を両立した。

　新たに発表したのは、同社の「Producer Black Diamond PECVD」ファミリーに含まれるLow-k絶縁材料「Black Diamond」の改良版だ。最小誘電率定数（k値）を下げて微細化に対応する他、機械的強度の向上を図った。

　また、最新のインテグレーテッドマテリアルズソリューション（Integrated Materials Solution：IMS）を提供。6つの異なるテクノロジーを1台の高真空システムに統合しており、その1つが、銅配線を2nm以降へ微細化する技術だ。

　ルテニウムとコバルトを組み合わせた二元金属（RuCo）を使用し、ライナー厚を33％低減して2nmにしている。さらに、表面特性を改善してボイドフリーの銅リフローを可能にし、電線抵抗を最大25％に低減。チップのパフォーマンスと消費電力の向上に貢献する。

　この技術を用いた「Applied Endura Copper Barrier Seed IMS with Volta Ruthenium CVD」は、大手ロジックメーカーが採用。3nmノード向けに、供給を開始した。

　

Applied Endura Copper Barrier Seed IMS with Volta Ruthenium CVD［クリックで拡大］ 出所：アプライド マテリアルズ

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