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16nm FinFET採用の車載用MRAMの提供に向けて共同開発を開始：組み込み開発ニュース
NXP Semiconductorsは、16nm FinFETを使用した車載用MRAMの提供に向けてTSMCと提携する。MRAMの採用で新機能の導入やアップデートの高速化が期待できる。初期製品サンプルは2025年初頭に出荷予定だ。
NXP Semiconductorsは2023年5月16日、16nm FinFETを使用した車載用MRAM（Magnetic Random Access Memory）の提供に向けて、台湾の大手ファウンドリーTSMCと提携すると発表した。初期製品サンプルは2025年初頭に出荷予定だ。
TSMCの16nm FinFETを使用したMRAMは、100万サイクルの耐久性、はんだリフローのサポート、150℃環境下で20年のデータ保持が可能で、車載アプリケーション要件を上回る性能を持つ。MRAMは20MBのコードのアップデートを3秒で完了するため、ソフトウェアアップデートの中断時間を抑えられる。
SDV（Software Defined Vehicle）では、単一のハードウェア上で複数世代のソフトウェアアップデートをサポートする必要がある。MRAMのスピードと堅牢性により、新機能の導入やアップデートの高速化が期待できる。NXPのS32車載プロセッサとTSMCのMRAMの統合により、高信頼性の製品を提供できる。
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