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スイッチング損失を約30％低減した1.7kVフルSiCモジュールを開発：組み込み開発ニュース
日立パワーデバイスは、同社従来品比でスイッチング損失を約30％低減した1.7kVフルSiCモジュールを開発した。独自設計した温度依存性の低いゲート抵抗を採用し、オンオフ動作に伴うスイッチング損失を低減している。
日立パワーデバイスは2021年12月21日、同社従来品比でスイッチング損失を約30％低減した、1.7kVフルSiCモジュール「MSM900GS17CLT」「MSM1350GS17CLT」「MSM1800GS17CLT」を開発したと発表した。2022年1月にサンプル供給を開始する予定だ。
同製品は、焼結銅接合を採用した従来品の設計を見直し、新たに独自設計した温度依存性の低いゲート抵抗を用いた。高速動作性能を向上させることで、オンオフ動作に伴うスイッチング損失を低減している。
サイズは100×140mmで、最高接合温度は175℃。電流定格が900AのMSM900GS17CLT、1350AのMSM1350GS17CLT、1800AのMSM1800GS17CLTの3種をラインアップに揃えた。
鉄道車両のインバーターや、再生可能エネルギー発電システムにおける電力変換器といった用途に適する。
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