三菱電機のパワーデバイス事業は2030年度にSiC比率30％へ、鍵はモジュール技術 ルネサスがSiCデバイスを量産「EV向けパワー半導体のシェアを大きく伸ばす」 EVの年間走行距離を1600km伸ばす、TIがリアルタイム可変ゲートドライバで実現
