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世界初となるショットキーダイオード内蔵の産業用GaNパワートランジスタ:組み込み開発ニュース
Infineon Technologiesは、ショットキーダイオード内蔵の産業用GaNトランジスタとしては世界初となる「CoolGaNトランジスタG5」ファミリーを発表した。デッドタイム損失を低減し、システムの高効率化に寄与する。
Infineon Technologies(インフィニオン)は2025年4月14日、ショットキーダイオードを内蔵した産業用GaN(窒化ガリウム)トランジスタ「CoolGaNトランジスタG5ファミリー」を発表した。デッドタイム損失を抑えることで、電力システムの性能向上とシステム全体の高効率化に寄与する。
これまで電源設計エンジニアの多くは、ショットキーダイオードを外付けしてGaNトランジスタと並列接続するか、コントローラー経由でデッドタイムの短縮を図っていた。また、従来のGaNトランジスタは、しきい値電圧がシリコンダイオードのターンオン電圧より高いため、第3象限という逆導通動作中の不利な状況が生じていた。
ショットキーダイオードを内蔵した同ファミリーは、逆導通損失が低く、さまざまなハイサイドゲートドライバと互換性を備える。これにより、デッドタイム条件を緩和でき、使用可能なコントローラーの選択肢が広がる。設計を簡素化できるため、労力や時間、コストの低減につながる。
サーバや通信IBC、DC-DCコンバーター、USB-Cバッテリー充電器用同期整流器、高出力PSU、モータードライブ用途に適している。同ファミリーの中で最初にリリースされるのは、3×5mm PQFNパッケージの100V 1.5mΩトランジスタだ。
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