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オンセミが縦型GaNと最新ADASセンサーを披露、日本市場へは「安定供給」を強調組み込み開発ニュース(1/2 ページ)

オンセミが2027年度の量産化を目指す縦型GaNデバイス「Vertical GaN」を紹介するとともに、ADAS向け最新イメージセンサーのデモンストレーションを披露した。

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 オンセミ(onsemi)は2025年11月11日、東京都内で記者説明会を開催した。同社が発表した縦型GaN(窒化ガリウム)デバイスである「Vertical GaN(vGaN)」を紹介するとともに、ADAS(先進運転支援システム)向け最新イメージセンサーのデモンストレーションを披露した。

(左)オンセミ日本法人 代表取締役社長の林孝浩氏、(右)オンセミ ゼネラル・マネージャー車載センシング部門のジェフ・バルー氏
(左)オンセミ日本法人 代表取締役社長の林孝浩氏、(右)オンセミ ゼネラル・マネージャー車載センシング部門のジェフ・バルー氏[クリックで拡大]

縦型GaNデバイスのサンプル提供開始、2027年度量産化目指す

 オンセミ日本法人 代表取締役社長の林孝浩氏は、同社が2025年10月30日(米国時間)に発表した、縦型GaNデバイスであるvGaNを紹介した。新開発のvGaNは、独自のGaN-on-GaN技術を採用することで、現行のGaNデバイスで一般的な電流をチップ表面に流す横型構造ではなく、シリコンパワー半導体と同じ縦型構造を実現した。「横型GaNデバイスは耐圧が低いことが課題だった。縦型構造のvGaNは、シリコンパワー半導体と同等の高い耐圧が可能になり、GaNデバイスの特徴ある3〜5倍の高速スイッチング動作も実現できる」(林氏)

 同社によると、vGaNを用いたハイエンド電力システムはエネルギー損失を約50%削減できるという。vGaNは、デバイスそのもののサイズも横型GaNデバイスに比べて約3分の1に小型化できている。

 「vGaN」の試作サンプルのモックアップを披露するオンセミ日本法人の林孝浩氏
「vGaN」の試作サンプルのモックアップを披露するオンセミ日本法人の林孝浩氏

 このvGaNは2027年度をめどに量産化予定で、AI(人工知能)データセンター、EV(電気自動車)、再生可能エネルギー、航空宇宙の4分野への展開を狙う。同社は量産に向けて、米国ニューヨーク州シラキュースにある広さ約6100m2の専用工場で開発を進めている。

 また、説明会ではサンプルの提供を開始することを発表し、報道陣に試作サンプルのモックアップを公開した。

 米国ニューヨーク州シラキュースのGaN研究開発/製造工場
米国ニューヨーク州シラキュースのGaN研究開発/製造工場[クリックで拡大]出所:オンセミ

ADASの普及でセンサーへの要望高まる

 オンセミのジェフ・バルー氏
オンセミのジェフ・バルー氏

 次に、オンセミ ゼネラル・マネージャー車載センシング部門のジェフ・バルー氏が車載向けイメージセンサーの最新技術について紹介した。オンセミは2004年に車載用HDR(ハイダイナミックレンジ)イメージセンサーを開発して以来、20年以上にわたり事業を展開している。

 日本市場においては、「当社のセンシング事業売り上げの約20%が日本への直接出荷であり、過去5年間で1億3000万個以上のイメージセンサーを日本で販売している。極めて重要な市場だと思っている」と強調した。今後は、製品の安定供給を最重要課題と位置付け、サプライチェーンのさらなる高効率化を目指す方針を示した。

 また、全世界の市場では、ADASやデジタルミラーに使われるイメージセンサーへの要望が「非常に高まっている」と説明。具体的には、高コントラストかつ低照度での認識、信号機などに用いられるLED表示を正確に捉えるLEDフリッカー対応、幅広い温度環境で動作する堅牢(けんろう)性などが求められているという。

 続くデモンストレーションでは、このようなイメージセンサーへの高い要求に応える製品として、3種類のデモンストレーションを公開した。

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