ニュース 2012年12月11日 SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上（関連情報）：パワー半導体 SiCデバイス [朴尚洙，MONOist] 記事を見る 記事を見る
